摘要：采用屏蔽腔的方法解决l波段混频组件的电磁兼容问题,通过HFSS软件计算分析优化屏蔽腔的连接结构,对连接结构的分析找到一种适用于l波段的电磁屏蔽腔外壳设计。最终根据此设计加工出用于l波段混频组件的带电磁屏蔽腔的组件外壳,经过电路的装配与封装测试达到了解决组件电磁兼容问题的目的。

摘要：自由电子激光器要求高亮度、低能散度的电子束注入波荡器(Undulator)。本文叙述提供高亮度电子束的高频电子直线加速器中的注入器部分的设计计算。注入器由l波段(1300MHz)的十二分频和三分频两个谐振腔预聚束器和一个基波频率的变相速聚束器组成。粒子运动方程中考虑了空间电荷效应和束流负载效应。电子枪的注入参数:脉冲宽度T=4ns;电流I=5A;电子的初始动能E_0=100keV;电子束分布为高斯型。参数优化设计结果:单束团宽度小于25ps,峰值电流达400A以上,电子的平均归一化能量>4,束团内的能量差小于200keV。

摘要：F类射频功率放大器是一种新型高效率的放大器,理论效率可以达到100%,在移动通信领域有着广阔的发展前景。文章介绍了F类功率放大器的电路结构、工作原理,并对效率进行了分析;在l波段对电路进行了设计和试验,实测结果和仿真结果基本吻合,验证了研究结果的一致性。

摘要：设计了一种基于光环形器的双通结构l波段EDFA,并与单通结构的l波段EDFA做了比较,结果表明其增益较传统l波段EDFA提高了7dB,功率转换效率提高到27.29%。分析了接收端的噪声特性,并在原有结构基础上对放大器做了改进,使得信号增益提高了0.6dB,噪声系数至少降低了0.3dB。

摘要：为满足某系统高功率高效率固态功率放大器的需求,研制了l波段220 W高效率固态功率放大器。基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)芯片,通过器件的内部匹配网络和外部匹配电路的优化,在C类工作状态下,实现了高效率的l波段160 W GaN功率器件;通过对多层结构宽边耦合器的仿真和介质材料的选用,设计了低损耗、高效率、大功率的合成器;通过对隔离变换电路和整流电路的改进,电源效率达到92%以上。该放大器末级器件采用功率合成的方式,最终饱和输出功率达到238.8 W(53.78 dBm),功率增益88 dB以上,功率附加效率达到60.9%。热仿真结果显示,在70℃壳温下,GaN功率器件结温为106℃,满足产品高可靠长寿命的需求。

摘要：本文给出了一种具有平行耦合线分裂环谐振器式（简称ＰＣＬＳＲＲ）Ｌ波段带通滤波器的近似设计方法及实验结果。这种滤波器结构简单，宜用于微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）。

摘要：本文介绍了l波段连续波空间行波管双阳极电子枪的电子光学设计以及结构改进,通过采用双阳极电子枪,可进一步增强阳极对总电流调控能力,增大离子阱,同时结合阴极直径增大后,阴极支取电流密度减小,提高产品寿命和可靠性。经过实际装管测试,改进后的双阳极电子枪的性能满足l波段空间行波管使用要求。

摘要：本文介绍了l(1200～1500MHz)波段直接锁相调频发射机的原理和设计方法,阐述了其特点。

摘要：采用微带线形式建立l波段微波功率放大器匹配网络,使用Fll357ME型砷化镓场效应功率晶体管,并利用Microwave Office进行电路仿真和优化。测试结果表明该放大器满足小信号放大器的指标要求,可以用于射频接入电路的前端。