摘要：基于ldo稳压器的工作原理,设计了一种快速瞬态响应的无片外电容ldo稳压器电路.ldo稳压器主要包括无运放带隙基准源、误差放大器、瞬态响应增强模块、功率调整管及NMOS管反馈网络.提出一种新结构的瞬态响应增强电路,加快功率调整管栅极的充放电速度,实现了快速瞬态响应.电路采用TSMC 0.18μm标准CMOS工艺实现,版图尺寸为190μm×210μm,后仿真结果表明:在输入电压为3.3V时,输出电压为2.15V,轻载与满载之间跳变的建立时间最大为0.6μs,低频时PSRR为-63dB,压差为50mV.

摘要：电子应用设计人员现今面临的一项极重要挑战是将电子系统能耗降至最低。为了达到此目的，大多数系统利用不同的低功率模式，帮助降低整体功耗。在利用不同工作模式时，系统供电电流差异极大，

摘要：本文设计了一种应用于集成稳压器的新型误差放大电路,其核心部分采用对称性的差分运算跨导(OTA)结构,并通过嵌套密勒补偿和动态频率补偿技术,显着改善了其性能指标。采用Hynix0.5μmCMOSHspice模型进行仿真后表明,此款带隙基准电路在较宽的频带范围内,增益高于60dB,共模抑制比(CMRR)和电源抑制比(PSRR)为70dB左右。

摘要：文中设计了一种应用于ldo线性稳压器的使能和过温保护电路,使芯片在工作温度过高时自动关闭,有效地防止芯片被损坏,待其恢复正常工作状态时自动重新开启各模块。采用Hynix0.5μm CMOS工艺和Hspice软件进行仿真后表明,设计的电路满足设计指标要求,具有优良的性能。

摘要：设计了一种结构简单的基于ldo稳压器的带隙基准电压源。以Brokaw带隙基准电压源结构为基础来进行设计。采用Cadence的Spectre仿真工具对电路进行了完整模拟仿真,-20~125℃温度范围内,基准电压温度系数大约为17.4 ppm/℃,输出精度高于所要求的5‰;在1 Hz到10 k Hz频率范围内平均电源抑制比（PSRR）为-46.8 d B。电路实现了良好的温度特性和高精度输出。

摘要：本文介绍了一种用于ldo稳压器的折返式限流电路,并针对实际应用中可能出现的问题进行了优化设计。仿真结果表明,对于一款最大带载能力为150mA的ldo稳压器,与常规的恒定电流限制相比,该电路能使系统在限流状态下将功耗减小2/3。

摘要：ldo稳压器对其中的基准电压电路较高精度要求和较低静态电流要求是一对矛盾,本文折衷设计了一款简单实用的CMOS电压基准电路。仿真结果显示,基准电路静态电流约为35μA,基准电压的温度系数为±15×10^(-6)/℃;低频时电源抑制比为63 dB,电压调整率为0．005。

摘要：针对ldo稳压器需要进行频率补偿的特点,本文在分析了ldo稳压器利用输出电容等效串联电阻(ESR)进行频率补偿原理的基础上,提出了一种新颖的ldo稳压器动态频率补偿方法。

摘要：越来越多的电子设备在电路设计中选择了结构简单成本低的ldo稳压器,本文就笔者在工程实践中遇到的问题,对ldo稳压块的特性以及对单片机复位的影响进行分析。

摘要：基于0.18μm标准CMOS工艺,设计了一种应用于SoC芯片的无片外电容ldo稳压器电路。稳压器电路包括传统的ldo模块和瞬态增强辅助电路模块。源于ldo稳压器的工作原理以及如何增强误差放大器(EA)摆率的思想,提出一种新型的带开关电容瞬态增强电路。ldo稳压器的负载发生瞬态变化时,瞬态增强电路迅速响应,调整输出电压Vout。开关电容导通与关断时能够抑制Vout的跳变和缩短响应后建立时间,克服传统ldo稳压器Vout跳变与建立时间相互制约的缺陷。仿真结果表明:输入电压在1.8~5 V时,输出电压为1.8 V,线性调整率为0.122 mV/V,静态电流为45.3μA,负载阶跃从50μA到50 mA(反之亦然)的恢复时间均小于0.6μs,可满足SoC芯片的更高要求。