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基于新型忆阻器的多端输入lif神经元电路的设计
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《微电子学与计算机》2025年 第2期42卷 86-92页
作者:柯善武 金尧耀 蒙嘉豪 吴鑫江 王今朝 叶葱湖北大学微电子学院湖北武汉430062 湖北大学材料科学与工程学院湖北武汉430062 
由于传统的互补金属-氧化物-半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)神经元电路与生物学的契合性较差且电路复杂,提出了一种基于忆阻器的多端口输入的泄露-整合-激发(Leaky-Integrate-Fire,lif)神经元电路。该电路由运...
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