摘要：为了解决尖晶石limn2O4在高温下的容量衰减问题,制备出了表面富含钴的尖晶石limn2-xcoxo4。采用控制结晶工艺在Mn3O4颗粒表面包覆一层β Co(OH)2,以包覆Co(OH)2的Mn3O4为前驱体,与LiOH·H2O混合,在750℃下反应20h,合成表面富含钴的limn2-xcoxo4。X射线衍射分析表明,合成的limn2-xcoxo4为尖晶石结构,没有杂相。扫描电镜和能量散射光谱(EDS)的分析结果表明,该尖晶石limn2-xcoxo4为类球形,而且表面富含钴。这种表面富含钴的尖晶石limn2-xcoxo4在高温下仍然具有良好的电化学性能,在55℃下其首次放电比容量为101mAh·g-1,15次充放电循环之后,仍保持初始放电容量的99%。而尖晶石limn2O4在15次循环后,仅能保持初始放电容量的82%。