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30GHz PHEMT振荡器
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《Journal of Semiconductors》2005年 第Z1期26卷 252-255页
作者：吴阿慧中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 
介绍了一种30GHz单片压控振荡器的设计、制作和性能.该芯片采用PHEMT工艺制作,电路基于负阻匹配共源网络结构设计.根据PHEMT器件的小信号S参数和直流I-V参数,提取出该器件的Modified-MaterkaFET模型参数,变容二极管由共源-漏晶体管来完...
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