摘要：利用V8 0型mbe生长GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱 (GRIN SCH SQW )结构。测试结果表明 ,该结构晶格和光学质量符合设计要求。制成激光器列阵 ,室温连续输出功率达7 2W ,峰值波长为 80 7～ 80 9nm ,经柱透镜光纤耦合后的光强远场分布为θ∥ =8° ,θ⊥ =3.5° .

摘要：200多年前,法国人加斯帕尔·蒙日（GaspardMonge）的《画法几何学》第一次提出了用二维视图描述三维产品的概念,为后世创建了基于二维工程图的统一工程语言.20多年前,基于计算机技术的三维建模设计理念开始在全球范围内普及,三维模型的直观性和易用性大幅提升了设计效率、简化了设计流程,以三维设计为基础的工程语言逐渐为人们所接受.然而在三维工程语言普及推广之际,二维工程图并没有退出历史的舞台.

摘要：用分子束外延技术(mbe)生长了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)的材料结构,利用X射线双晶衍射(XRD)方法对材料进行了测试分析.结果表明,材料的双晶衍射峰半峰宽达到16.17″,GaAs层与In0.1Ga0.9As层的相对晶格失配率仅为0.0156%.对实验样品进行了双晶衍射回摆曲线的模拟,模拟结果与测试结果符合较好,说明生长的RTD材料结构与设计相符合.通过制成器件对材料进行验证,室温下对器件进行直流测试,PVCR达到5.1,峰值电流密度达到73.6 kA/cm2.

摘要：The renewable systems design software and building energy simulation software for energy efficient buildings, use as a main input the solar radiation. The implementation of such systems in the urban environment requires accurate meteorological data for the interest area. The existence of a small number of weather stations that to offer data with regard to solar radiation as well as the limited access to these, makes necessary the conceiving of some more accurate estimation mathematical models for all climatological parameters. The present paper proposes a study of the Linke and AngstrOm turbidity coefficients, for Brasov urban area, with the purpose of a more accurate solar radiation simulation. Models performance is analyzed using the root mean square error （RMSE）, the mean bias error （mbe）, the mean percentage error （MPE） and the t-statistic.

摘要：文章首先给出了同质结双极晶体管和异质结双极晶体管 (HBT)在材料结构参数上的差异 .这种差异表明 ,在器件的材料结构设计上已从掺杂设计步入到了能带工程设计 .和同质结双极晶体管相比 ,HBT具有更优越的性能 .接着介绍了HBT的工作原理。

摘要：本文在国内首次采用自行设计的碳纤维束源炉及固态源ＭＢＥ技术生长了优质碳掺杂ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ及δ碳掺杂ＧａＡｓ外延层。获得了空穴浓度从４×１０１４ｃｍ－３到２×１０１９ｃｍ－３的ＧａＡｓ材料。用霍尔效应测量仪、电化学ＣＶ剖面仪和Ｘ射线双晶衍射仪分析了外延层的质量。用Ｎｏｍａｒｓｋｉ干涉显微镜和原子力显微镜分析了ＧａＡｓ的生长过程。结果表明碳是ＧａＡｓＩＩＶ族化合物半导体的极好的ｐ型掺杂剂。

摘要：基于经典Varshni模型,提出了In 1-x Al x Sb的能带值E g随Al组分和温度变化的经验关系E g(x,T),并通过已有的文献数据对该公式进行有效性的验证。实验上,采用分子束外延方法在InSb(100)衬底上生长p+-p+-n-n+势垒型结构的InAlSb外延层。运用高分辨率X射线衍射对材料的晶体质量及Al组分进行测试和表征,计算得出Al组分为2.8%。然后将InAlSb材料制备成红外探测器二极管并测量77~260 K下的光谱响应曲线,从而计算出In 0.972 Al 0.028 Sb材料的能带值随温度的变化关系。对比分析的结果表明:实验观察和文献数据均与理论推导基本吻合。InAlSb能带值与Al组分和温度变化关系的确定为探测器材料结构设计提供了必要的理论支撑。

摘要：在n+ GaAs (10 0 )衬底上由分子束外延技术 (mbe)生长了以 [GaAs/AlAs]超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的新型AlAs/ [GaAs/AlAs]半导体 /超晶格分布布拉格反射镜 (DBR) ,并对此DBR的光、电学特性进行了实验测量。从实验获得的DBR的反射谱中得出 ,其反射谱中心波长为 85 0nm ,19周期此DBR的峰值反射率高达 99 5 % ,反射带宽度为 90nm左右。与此同时 ,由自行设计的二次钨丝掩模质子注入形成 15× 15 μm2 正方形电流注入区对 p型DBR的串联电阻进行了测量 ,克服了化学湿腐蚀法中腐蚀深度不易控制及侧面同时被腐蚀的缺点。实验得出此 p型DBR的串联电阻仅为 5 0Ω左右。由此可见 ,此DBR在保持高的反射率的同时具有较低的串联电阻。最后 ,对DBR的串联电阻与温度关系的实验研究表明 ,此DBR的串联电阻受温度的影响不大。

摘要：随着全球航空业的迅速发展,先进航空制造企业竞相建立基于模型的技术理论和应用体系来适应现代航空产品研制的动态变化过程,达到提高研制效率、质量和降低成本的目的.基于模型的技术主要包括:以共享的集成和协同环境为主的mbe (Model Based Enterprise,mbe)、以数字化设计为主的MBD (Model Based Definition,MBD)和以数字化制造为主的MBI(Model-Based Instructions,MBI).航空产品结构复杂、研制过程严谨、数据量大,带来了三维数字化业务过程中产品数据如何定义、传递及使用等问题,这些是全生命周期业务过程能否顺利执行的根本所在.

摘要：通过对英国BIM成熟度等级、中国P-BIM发展成熟度特点的分析对比,探析BIM成熟度发展较优的应用技术路线与发展阻碍。针对我国P-BIM标准体系建立、任务功能软件应用等方面提出细化成熟度发展等级,完善成熟度等级评估体系的BIM发展策略。