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检索条件"主题词=MBE装置"
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分子束外延装置
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《微细加工技术》1990年 第1期 56-62页
作者：相崎尚昭 吴明华 
如果支撑LSI的高集成化及高速化的微细化技术更进一步地发展,使设计尺寸达到1μm以下,那么不仅是横方面的微细化而且有源领域的纵方向的微细化即薄膜化和浅结形成也就变得重要了。特别有吸引力的是超高速器件的杂质剖面可任意设计。这时...
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