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基于ECC校验码的存储器可扩展自修复算法设计: 收藏
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引用; 《计算机工程与科学》2017年第2期39卷 252-257页; 作者：任秀江谢向辉施晶晶江南计算技术研究所江苏无锡214083 数学工程与先进计算国家重点实验室江苏无锡214125; 随着微电子工艺的不断进步,SoC芯片设计中SRAM所占面积越来越大,SRAM的缺陷率成为影响芯片成品率的重要因素。提出了一种可扩展的存储器自修复算法(S-MBISR),在对冗余的SRAM进行修复时,可扩展利用存储器访问通路中校验码的纠错能力,在...; 随着微电子工艺的不断进步,SoC芯片设计中SRAM所占面积越来越大,SRAM的缺陷率成为影响芯片成品率的重要因素。提出了一种可扩展的存储器自修复算法(S-MBISR),在对冗余的SRAM进行修复时,可扩展利用存储器访问通路中校验码的纠错能力,在不改变SRAM结构的前提下能够进一步提高存储器的容错能力,进而提高芯片成品率。最后对该算法进行了RTL设计实现。后端设计评估表明,该算法能够工作在1GHz频率,面积开销仅增加1.5%。; 来源：详细信息评论

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