摘要：在分析了传统平行极板mems压控电容的基础上,提出了一种新型的高调节范围mems压控电容。与传统的平行极板电容不同的是,它由三对极板构成。其中一对是起电容作用的极板,另外两对是控制极板。交流信号通过电容极板传输,而直流控制电压施加在控制极板上。使用有限元分析软件Ansys对该电容进行了模拟,得出其调节范围达214%,大大超出了传统的平行极板电容在调节范围上的自然限制(50%)。另外,设计了该电容的工艺流程。其工艺流程较简单,很容易集成在标准的RF电路中。

摘要：给出了一种mems压控电容的设计和相位噪声分析结果。在电容器结构中引入衬底金属层以达到控制寄生电容的目的;使用HFSS进行了上极板开孔对电容的影响的仿真,得到了不影响电容值的最佳尺寸是5微米。在恒寄生电容的假设下分析了mems压控电容的相位噪声,在SPICE模型基础上使用HSPICE进行了相位噪声仿真,分析发现布朗运动所产生的相位噪声的典型值是-176dBc/Hz,环境声波造成的相位噪声的典型值是-137dBc/Hz。

摘要：对传统平行极板mems压控电容的局限性进行了理论分析，提出了一种新型的高调节范围mems压控电容，它的特点在于使用了三对极板，其中的一对是电容极板，另外两对是控制极板，电容极板用于传输交流信号，而直流控制电压施加在控制极板上，使用有限元分析软件Ansys对其进行了建模与仿真，得出其调节范围高达214％，大大超出了传统的平板电容在调节范围上的自然限制(50％)，设计了该电容的工艺流程，其工艺流程比较简单，很容易集成在标准的CMOS集成电路中。