摘要：准确掌握射频微机电(RFmems)器件的电磁特性是WSN节点射频收发前端设计可靠与否的关键,为解决RFmems器件时变结构的电磁特性数值计算问题,建立了RFmems器件垂直运动结构的机电耦合模型,实现了模型的时域离散,在时域有限差分的基础上,提出电(磁)介质参数插值的新思路,详细阐述了线性电(磁)介质参数插值法的基本思想,并推导了一维线性插值的计算公式。仿真实验结果表明,该计算方法具有易实现、速度快、效率高的特点。

摘要：采用限位块可以提高mems器件的抗冲击性能,但由于冲击环境中mems结构与限位块的碰撞过程可能产生较大的瞬间冲击以致器件失效,用弹性限位块可以有效解决上述问题,但是其防护效果会受到限位参数的影响。为了得到限位块最佳设计参数,首先建立了mems器件的冲击动力学模型,提取了影响mems器件冲击响应的因素,进而分析了限位块弹性系数、限位距对冲击响应的影响;最后提出了限位块的设计方法并给出了最终设计结果。结果表明:设计弹性限位块需要兼顾限位效果和缓冲性能,同时减小限位距也可显著提高微器件抗冲击性能。

摘要：为能够实现mems器件生产的自动化、柔性化、高速化,研究和设计具有飞行视觉系统的贴片机。该贴片机能够自动找寻器件基准图像信息,在飞行中自动捕获拾取芯片位置的图像信息,求取特征点的XY坐标及角度坐标,并根据计算结果自行规划执行单元的运动轨迹。通过验证,该贴片机能够满足mems器件贴片的精度、速度和自动化的要求,可有效提高mems器件的生产质量,减少劳动强度,提高生产效率。为mems器件生产的自动化提供了解决方案,具有重要的经济效益。

摘要：随着mems集成度的提高,迫切需要有相应的CAD工具进行系统级的设计与模拟,由于mems器件的工作原理包含了多种能量的耦合,宏模型的建立成了系统级设计的“瓶颈”。模拟硬件描述语言(如VHDL-AMS)提供了一种有效的方法,即建立起表示mems器件动态特性的常微分方程和代数方程(DAE),然后对其描述,形成相应的库单元,利用现有电路分析软件进行系统级模拟。本文介绍了mems器件VHDL描述的过程,并给出了横向谐振器描述的例子。

摘要：针对mems器件的缓冲防护,建立了以响应加速度峰值比来评估结构缓冲性能的不同厚度比双层异质防护结构动力学响应模型。通过数值仿真,外层环氧树脂与内层聚氨酯厚度比为2︰1的双层防护结构缓冲性能最佳。其响应加速度峰值比可达到0.47,误差小于4.60%。通过对mems器件的防护结构进行优化设计,为双层粘弹性材料用于mems器件抗高过载防护结构的研究和应用提供了理论基础和技术支持。

摘要：根据特定电容式微传感器后续处理电路的高性能要求,设计一个运算放大器芯片。设计中采用了美国MOSIS公司提供的n阱0.35μm cmos工艺的SPICE BSIM3 mos管模型,手算估计芯片的参数,然后采用了两种能系统反映芯片特性的测量电路对设计进行了性能测量,并根据测试结果对设计做出相应调整。从最终测试结果来看,设计的运算放大器具有很好的静态和动态性能。

摘要：随着军事和工程领域的进步和发展,对航姿系统功能提出了更高的要求,航姿系统也逐渐向低成本和微小型的方向发展。本文在惯性测量单元的基础上进行了优化,设计基于低成本mems器件的航姿系统,分析了系统的硬件和软件,论述了系统算法,总结了试验结果。

摘要：设计一种适用于典型mems器件结构优化设计的通用平台系统mems Platform(简称MP)。该平台采用了柔性模块的设计理念,将整个优化设计过程分解成参数化建模、性能仿真、优化前后处理、优化算法选择与设计、优化结果输出等5个独立功能单元,解决了典型mems器件结构设计中经常出现的实际性能失真、优化计算过程复杂、计算量大等问题,具有较好的实际应用及再开发价值。

摘要：无线通信的发展已成为推动半导体工业发展的真正动力 ,许多半导体公司为了在这一领域占有一席之地正大力开发微电机械系统 (mems)。实现目标的途径之一是设计出可集成无源器件的方法 ,这些器件占当今无线手机中所用器件的 70 %。研究人员目前正努力开发芯片集成技术 ,mems技术便是其中的重要组成部分。mems已用于开关、滤波器、局域振荡器、可调电容器及高品质因数电感线圈等。制作这些器件的光刻条件与那些标准的在极端复杂的表面上进行的半导体制造工艺大相径庭。

摘要：针对目前捷联式姿态航向系统低成本、低功耗、高精度、微型化的发展趋势,提出一种基于mems器件的姿态航向系统的实现方案,介绍了该系统的方案设计与算法原理,实验证明该系统可以很好的测量出载体的姿态航向,可用于小型无人直升机的导航控制中。