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检索条件"主题词=MOCVD技术"

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富士通首次制出100WGaN HEMT: 收藏
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引用; 《现代材料动态》2009年第2期 9-10页; 作者：邓志杰（摘译）; 日本“宽带隙”研发先驱单位——富士通公司在2008年9月份于德国举办的化合物半导体国际会议上宣布，他们首次研制成功100W脉冲增强模式GaNHEMT，旨在用于微波和毫米波基站，将于2010年用于大容量无线通信。据报道，该器件最大输出功率...; 日本“宽带隙”研发先驱单位——富士通公司在2008年9月份于德国举办的化合物半导体国际会议上宣布，他们首次研制成功100W脉冲增强模式GaNHEMT，旨在用于微波和毫米波基站，将于2010年用于大容量无线通信。据报道，该器件最大输出功率达126W，击穿电压336V。该晶体管是用mocvd技术生长的，中间引入了AIN层并改进了栅极设计。; 来源：详细信息评论

用涡轮mocvd制作突变异质结和量子阱的气路压强分布的研究: 收藏
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引用; 《华南师范大学学报（自然科学版）》1998年第2期30卷 1-5页; 作者：廖常俊刘颂豪陈俊芳刘剑赵寿南郑学仁华南师范大学量子电子学研究所华南理工大学应用物理系; 在用ＭＯＣＶＤ技术外延生长多层结构时，源材料的切换过程对生长界面的影响用高速氢气流冲洗管路、设计合理的压强配置而得到控制，获得了晶格匹配好而且介面过度层薄的突变异质结界面．给出了发黄光量子阱结构的气压与流量配置．; 在用ＭＯＣＶＤ技术外延生长多层结构时，源材料的切换过程对生长界面的影响用高速氢气流冲洗管路、设计合理的压强配置而得到控制，获得了晶格匹配好而且介面过度层薄的突变异质结界面．给出了发黄光量子阱结构的气压与流量配置．; 来源：详细信息评论

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