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mos场效应管γ剂量探测器温度特性研究
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《核电子学与探测技术》2018年 第6期38卷 785-789页
作者:刘大海 赵建兴 周春芝 李海俊 樊海军国民核生化灾害防护国家重点实验室 
针对双mos场效应管γ剂量探测器的测量结果受温度影响大的问题,设计了一套试验装置,在商业级温度范围内,通过试验研究了不同情况下双mos探测器读数随温度的变化规律,给出了减小温度对读数影响的测量方法。实验表明:该方法可满足个人...
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V-mos场效应管单端A类功放的制作
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《音响技术》2008年 第5期 66-68页
作者:钟文祥 
1单端A类放大器性能刍议无论是普通音响,还是电脑多媒体音响,功率放大器依然是音频能量扩大推动扬声器出声不可或缺的终端,各类放大器均能较好地实现这一功能,但是现代人们对音响(客观的技术因素,如频率响应、失真度、信噪比等)和音...
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单端A类放大器及场效应管(3)
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《音响技术》2010年 第6期 56-57页
作者:钟文祥 
4V-mos场效应管单端A类功放的制作设计放大器有两个基本原则:一是简单,二是线性。能做到最简单的放大器线路就是单端A类,简单不是单端A类放大使用的唯一理由,是因为单端A类最具有迷人的音乐感。
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SOI/mosFET Kink效应的模拟和分析
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《固体电子学研究与进展》1993年 第3期13卷 228-232页
作者:王晓晖 汤庭鳌 郑大卫 黄宜平 C.A.Pazde Araujo复旦大学电子工程系上海200433 University 
非全耗尽SOI/mos晶体由于存在“Kink效应”而限制了它的应用范围。本文考虑了沟道夹断区的碰撞电离和横向寄生晶体效应,对浮置衬底SOI/nmos晶体的电流—电压特性曲线进行了理论计算,讨论了Kink效应的产生机理。计算结果与实验符...
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组织等效空腔电离室设计与饱和特性研究
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《核技术》2007年 第10期30卷 860-863页
作者:程松 刘伯学 唐开勇 刘虹宇 王艳春北京防化研究院北京102205 
mos场效应管与空腔电离室两种技术结合,形成一种用于个人核辐射剂量监测的新型探测器-直接电荷存贮(Direct Ion Storage,简称DIS)探测器。本文在介绍该探测器原理基础上,从壁材料、气体成分、腔体形状和尺寸、壁厚度以及绝缘材料等角度...
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一种基于光纤阵列的高速电光开关系统
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《光子学报》2009年 第9期38卷 2210-2213页
作者:张蕊利 温文龙 赵宝升 田进寿 王俊峰 侯丽峰 张小秋中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室西安710119 中国科学院研究生院北京100049 西北大学西安710069 
提出了一种基于光纤阵列的新型电光开关,设计了高速电光选通电路.经实验测得,高压选通电路可获得电压幅度6 000 V可调,前、后沿小于30 ns,触发晃动小于1 ns,脉冲宽度为100 ns可调的高压矩形脉冲.用小口径电光晶体实现了大的通光口径、...
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一种高速多通道光纤阵列光开关
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《光子学报》2009年 第12期38卷 3092-3096页
作者:侯丽峰 任兆玉 田进寿 温文龙 王俊锋 刘虎林 徐向晏 曹希斌 宋凤军 杨建伦 党利宏西北大学光子学与光子技术研究所西安710069 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室西安710119 中国工程物理研究院核物理与化学研究所四川绵阳621900 解放军西安通信学院西安710106 
为了对短时间大视场一维光强信息进行采集,采用编码转换技术和自聚焦透镜矩形阵列设计了光开关,用小口径电光晶体实现了大视场的测量.采用mos级联的高压同步电路,使得系统具有结构紧凑、性价比高、寿命长等优点.实验结果表明:开关选...
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大功率宽带射频脉冲功率放大器设计
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《电子技术应用》2006年 第3期32卷 134-136页
作者:郝国欣 金燕波 郭华民 张培哲中国电子科技集团公司第22研究所研发中心山东青岛266071 
利用mos场效应管(mosFET),采取AB类推挽式功率放大方式,采用传输线变压器宽带匹配技术,设计出一种宽频带高功率射频脉冲功率放大器模块,其输出脉冲功率达1200W,工作频段0.6M ̄10MHz。调试及实用结果表明,该放大器工作稳定,性能可靠。
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一种新型通用有源电流模式滤波器的设计
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《电子元件与材料》2003年 第2期22卷 4-6,9页
作者:周英华 熊元新 孙丽平 周伟涛武汉大学电气工程学院湖北武汉430072 
在建立了mos场效应管小信号模型的基础上,采用信号流图的方法设计了一个三输入一输出的二阶通用有源电流模式滤波器。该滤波器能够通过合理的选择输入电流实现不同的滤波功能,并可通过改变滤波器电路的工作条件来实现不同参数的滤波。...
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Design and simulation of Gaussian shaping amplifier made only with Cmos FET for FEE of particle detector
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《Nuclear Science and Techniques》2010年 第5期21卷 312-315页
作者:WEMBE TAFO Evariste SU Hong QIAN Yi KONG Jie WANG TongxiInstitute of Modern Physics Chinese Academy of Sciences Lanzhou 730000 China Department of Physics University of Douala Cameroon 
The objective of this paper is to design and simulate a shaping amplifier circuit for silicon strip,Si(Li),CdZnTe and CsI detectors,etc.,which can be further integrated the whole system and adopted to develop Cmos-bas...
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