摘要：建立了mos控制晶闸管最大可关断电流的解析关系式 .在该关系式中 ,关断电流只与晶闸管中耦合晶体管的电流放大系数及晶闸管射极短路电流有关 .另外 ,基于mos控制晶闸管的仿真模型 ,模拟分析了最大可关断电流与它们间的关系 .解析与模拟分析结果符合较好 .结果表明 ,耦合晶体管电流放大系数及晶闸管射极短路电流的设计决定了器件的最大可关断电流 .

摘要：讨论了MCT的结构设计及耐压设计.通过对结构参数的最佳化选择,制造出开关电流9A,耐压900V的MCT芯片.n沟mos阈值电压为2V,p沟mos阈值电压为-5V.当门极加-7V电压时,其关断电流密度为220A/cm^2.

摘要：介绍了一种新型功率集成光激 mos控制多路开关 ,它由双向晶闸管、mos器件、光电器件组成。此开关通过光电转换来实现强电与弱电之间的隔离 ;可工作在交流状态 ,其通态压降低 ,约在 1 .5～ 3 V之间 ;并对其阻断特性、电流特性、开关特性进行了全面的模拟分析。

摘要：使用普通Ｐ型硅片，用全扩散工艺制作ＭＣＴ．除开通与关断ＭＯＳ外，全部器件用常规晶闸管工艺制造．试制品主要电特性达到设计要求，说明了利用全扩散工艺制造ＭＣＴ的可行性．文中讨论了适合于全扩散工艺的器件结构设计思路，报道了样品的测试结果，并对试制工作进行了简单分析．

摘要：本文探讨了新型功率器件MCT(mos控制晶闸管)的结构设计、工艺设计及实施方法。通过计算机工艺模拟,采用SDB(硅片直接键合)、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术,在实验室制成了MCT样品.测试结果表明.在-12伏的栅偏压下能在5μs内关断42A/cm^2的阳极电流.

摘要：介绍了新型功率器件MCT的基本特点与结构。利用开发出的MCT计算机辅助设计软件，模拟MCT的静态、动态特性，优化了MCT的结构参数。根据工艺模拟结果，编制MCT的制造工艺流程，研制出2．7A／5OOV的样片，其开通时间为200ns，关断时间为4μs。