摘要：IGBT即绝缘栅双极型晶体管,作为新一代的全控型电力电子器件已经广泛应用于工业、交通以及军事等诸多领域。日益进步的电力电子技术对功率半导体器件的性能也提出了更高的要求。本文使用计算机仿真软件对IGBT表面mos结构进行优化设计,结果表明,为了获得最大的通流能力,首先要对mos的栅宽和栅的间距做最佳匹配,其次是对BJT分量中的P+阱宽度做出合理设计,以期获得较高的抗闩锁能力。

摘要：提出一种新型高阻硅(电阻率ρ>8kΩ.cm)衬底mos(metal-oxide-semiconductor)结构的凸起式共面波导。给出了其在50MHz～40GHz频段的插入损耗和回波损耗测试结果,以及在-40V～+40V直流偏压下散射参数的变化。结果表明,随着偏压的变化,回波损耗在Ka波段极值点的频率和幅值均会产生偏移,插入损耗极值点的频率基本没有偏移,只存在幅值偏移。共面波导的损耗偏移与mos结构的Si-SiO2界面效应有关,在凸起式共面波导损耗的偏压实验中,观察到与传统mos结构共面波导相反的曲线,并尝试给出了理论解释。该文设计的共面波导在35GHz下实现了小于-0.010dB/mm的损耗,优于Ka频段硅衬底共面波导已报道的结果。

摘要：mos结构高频C-V(电容-电压)特性测量是检测mos器件制作工艺的重要手段。本文阐述了用高频检测法测量mos电容的原理,介绍了用变频技术和集成芯片设计mos结构高频C-V特性测试仪的方法。该测试仪电路简单,成本低,分辨率高,测量准确,稳定性好。

摘要：在理论分析的基础上，设计制作了５００Ｖ／１１ＡＶＤＭＯＳＦＥＴ芯片，并且进行了失效分析，从而进一步解决了设计和工艺中存在的问题，提高了成品率．最后指出了今后努力的方向．

摘要：新日本无线推出适用于AV设备及PC相关设备电源的Cmos低饱和稳压器NJM7790，输出电流为500mA。该产品采用Cmos结构，具有可与双极型产品相媲美的高纹波抑制率（65dB@400Hz）及低噪声特性（75mVrms）。由于NJM7790的消耗电流仅为30mA，因此有助于TV、DVD等各种AV设备以及PC相关设各降低功耗．