限定检索结果

检索条件"主题词=MOSEFT"
3 条 记 录,以下是1-10 订阅
视图:
排序:
基于LPC2131的大功率直流电机驱动系统设计
收藏 引用
《科技广场》2012年 第1期 185-190页
作者:丁德群 蔡咸健 夏明 刘辉辉江西理工大学电气工程与自动化学院 南昌有色冶金设计研究院 
直流电机驱动技术的发展从未止步,电力电子技术、计算机技术、智能控制理论的发展更为直流电机驱动技术的发展奠定了良好的基础。本文阐述以LPC2131为控制核心,基于PID控制算法,利用大功率moseft为驱动元件,采取光电隔离控制和驱动电路...
来源:详细信息评论
MOSFET缓冲保护电路的改进型设计
收藏 引用
《电气应用》2017年 第9期36卷 81-85页
作者:张军迪 李智 张绍荣 牛军浩桂林电子科技大学电子工程与自动化学院 桂林航天工业学院电子信息与自动化学院 
低电压大电流逆变电路的缓冲保护电路的设计非常重要。本设计是在传统的RCD放电阻止型吸收电路的基础上加以改进,提高传统RCD缓冲保护电路的过电压吸收能力,改进后的电路结构简单且有很高的通用性。本设计结合动力逆变电路具体情况,设...
来源:详细信息评论
MOSFET输入电容对功放驱动电路的影响
收藏 引用
《通信技术》2009年 第9期42卷 182-184页
作者:刘平 乔永辉 焦彦明郑州大学信息工程学院河南郑州450052 
由于MOSFET栅源极和栅漏极间存在着寄生电容,也即Cgs和Crss(统称为输入电容Ciss),而且呈现非线性特性,它的存在在高频时会影响到功率放大器的驱动电路的性能。因此,文中构建了包含输入电容的功率放大器的电路模型,并以ARF461A射频功率MO...
来源:详细信息评论
聚类工具 回到顶部