摘要：借助半导体专业模拟软件Tsuprem-4和Medici,模拟得到一组最佳的30V沟槽MOS-FET结构和工艺参数;给出了特性模拟曲线。在此基础上,详细讨论了沟槽的宽度和深度变化对沟槽mosfet的阈值电压、击穿电压、漏电流及导通电阻等特性的影响。最后,根据模拟得到的最佳参数进行了流片实验。结果表明,所设计器件的击穿电压大于35V,Vgs为10V下的导通电阻为21mΩ·mm2。

摘要：为了解决SiC mosfet在高频电力电子应用中的高功率损耗问题,并优化其开关性能,提出一种多谐振栅极驱动电路。该驱动电路利用能量回馈的思想,设计一个多谐振滤波网络进行高阶谐波滤波和回收输入电容中的能量,通过控制三极管的通断将栅源电压钳位在+15 V和-5 V的期望电压,旨在减少驱动电路从电源中获取能量,避免误触发问题,以及提高SiC mosfet开关过程的效率。LTspice仿真结果显示,与传统栅极驱动电路和其他普通谐振栅极驱动电路相比,所提多谐振栅极驱动电路的功率损耗分别降低了50%和30%,同时加快了SiC mosfet的开关速度。所提驱动电路具有一定的实用价值,有利于电力电子行业的发展。

摘要：本文提出一个非均匀掺杂、短沟道mosfet阈电压的准二维解析模型。用此模型对各种不同条件下的微米、亚微米mosfet的阈电压进行了计算,其结果与二维数值分析程序得到的结果相符甚好。本模型可用于电路分析程序,工艺容错分析及器件的优化设计。

摘要：提出了一种全新思路的功率ＭＯＳＦＥＴ驱动电路。该电路采用数字电路结构，分立器件少，易实现模块化，波形控制十分灵活，工作频率很高，适用于高频软开关的开关电源及ＤＣ／ＤＣ变换器。

摘要：介绍了一种用２μｍＮ阱双层多晶硅ＣＭＯＳ工艺实现的音频低通ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ连续时间滤波器，该滤波器实现了带内波动为０．１ｄＢ，通带截止频率３．４ｋＨｚ（可调）的传输函数特性。设计了一个具有精确输出平衡电平控制的平衡结构差分运算放大器，以实现该滤波器的平衡网络结构。

摘要：在实际工程应用的基础上,针对50k W/1MHz的高频感应加热大功率SiC mosfet电路要求及SiC mosfet开关特性进行开发研究。通过对SiC mosfet的开通过程特性进行详细研究,得出使其可靠、安全驱动的要求,在现有已经成熟应用的Si mosfet驱动电路基础上对其进行改进,研究适合工作在兆赫范围内的SiC mosfet驱动电路。并采用双脉冲实验验证所设计驱动电路的基本特性及确定最佳门极电阻参数。

摘要：本文在分析了SPICE II-MOS2,MOS3模型中所存在的问题之后,重新建立了一个实用于电路模拟的微米级mosfet解析模型──MOS5模型(本文仅限于介绍其开启电压模型部分).经实验证明,此模型适用于对不同工艺制得的各种尺寸增强型MOS管的开启电压模拟(L_(eff)≥1.0μm).与原SPICEII-MOS2,MOS3模型相比,此新模型具有参数简单易得、物理意义明确、以工艺参数为主等特点.此模型现已装入SPICE II程序中,达到了实用的目的,并可对VLSI设计与制造起一定的指导作用.

摘要：通过研究功率mosfet器件的开关特性和脉冲产生技术,设计了互补推挽和集成芯片两种mosfet栅驱动脉冲电路,其较好的驱动能力,极大的提升了mosfet的开关速度,分别实现了上升(下降)时间小于5 ns和2.5 ns、输出幅度300~500 V、脉冲宽度5 ns^0.2ms可调的高速、高压的脉冲产生与放大。据此研制成功的脉冲产生器具有稳定性好、带负载能力强、输出脉宽调节范围大、体积小等特点。该脉冲产生器已成功应用于像增强器高速摄影的电子快门装置,并在其他需要高速、高压脉冲领域有一定应用前景。

摘要：本文介绍了专用驱动芯片组UC3724/25的主要特点和原理,并对其构成的功率mosfet驱动电路进行了分析和实验。实验结果表明,该集成驱动电路具有开关速度快,且能满足驱动所需的功率,是一种性能较好的驱动电路。

摘要：　工艺综合是一种自顶向下的工艺、器件设计方法。文章通过应用于MOS器件和双极型器件的工艺与器件设计,介绍工艺综合并验证工艺综合思想;介绍了基于工艺综合开发的MO-SPAD软件系统。在工艺综合系统中,使用响应表面法可加速综合的速度。