摘要：短沟道效应是小尺寸ＭＯＳＦＥＴ中很重要的物理效应之一，凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ对短沟道效应有很强的抑制能力。通过对凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ结构、特性的研究，发现凹槽拐角对凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ的阈值电压及特性有着显著的影响。凹槽拐角处的阈值电压决定着整个凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ的阈值电压。凹槽拐角的曲率半径是凹槽ＭＯＳＦＥＴ一个重要的结构参数。通过对凹槽拐角的曲率半径、源漏结深及沟道掺杂浓度进行优化设计，可使凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ不仅能完成抑制短沟道效应，而且具有相当好的输出特性和Ｓ因子，使这种结构适合于深亚微米ＭＯＳＦＥＴ器件。

摘要：采用二维数值模拟的方法,研究了纳米尺度栅长的绝缘层上应变硅(SSOI)动态阈值(DT) mosfet的特性,全面分析了台阶型沟道掺杂分布和沟道长度对器件开态和关态特性的影响。结果表明,通过调整轻掺杂的表面沟道和重掺杂的体杂质分布,DT SSOI器件能在较低的电源电压下实现比非DT器件更优的性能,同时不会造成明显的器件关态漏电。从实验结果可以预测,相对于非DT器件而言,DT器件在性能上的这种优势能够保持到32 nm栅长的技术节点。

摘要：本文介绍一种采用载流子总量方法分析SOImosfet器件特性及热载流子效应的数值模型。使用专用模拟程序LADES7联解器件内部二维泊松方程、电子和空穴的连续性方程。LADES7可用于设计和预测不同工艺条件、几何结构对器件性能的影响。该模型直接将端点电流、端点电压与内部载流子的输运过程联系在一起，可准确地模拟SOImosfet器件的特性并给出清晰的内部物理图象。本文给出了LADES7软件模拟的部分结果，并着重讨论了热载流子效应产生的栅电流。

摘要：为了提高脉冲电源的输出电压以及频率,利用含有续流支路的谐振电路与脉冲变压器相结合的方法,将单回路模块以分级串联的方式进行组合,提出了一种电压范围V=0~17 kV,频率范围f=0~30kHz可调的ns级脉冲电源。对级串式电路进行理论分析与仿真模拟,搭建实物平台并进行空载实验。实验结果表明,该级串式高压脉冲电源通过增设二极管与电阻构成的续流支路,能够为故障回路模块提供续流,不影响其他模块的正常使用,整套装置易于拆卸组装,输出波形稳定性高,为相关工业应用研究提供实验手段和技术支持。

摘要：目前,感应加热电源技术主要朝着大功率、高频率和智能化控制技术的方向发展。然而,随着逆变开关频率的提高,功率器件的开关损耗随之增加。具有高临界雪崩击穿电场强度、高热导率、小介电常数等突出优点的宽禁带半导体材料SiC mosfet的应用为这一问题的解决提供了理想的方案。本文详细研究了感应加热电源逆变器的设计、SiC mosfet器件的驱动电路以及电源的功率扩展等问题;开发出了频率超过800 kHz,单逆变桥功率超过50k W的新型感应加热电源;通过并桥处理,电源单机容量可达200 kW,在一定程度上填补了将新型SiC mosfet器件应用于感应加热领域的空白。

摘要：本文针对如何设计mosfet半桥驱动线路进行了深入分析,其中对半桥驱动芯片的工作原理、自举电容的计算以及相线振铃和相线负压的产生作了详细分析并给出了相关实验波形。

摘要：SiC材料具有较大的禁带宽度、高临界电场、高载流子饱和漂移速度和高热导率等优良特性,能广泛应用在高温、高压、大功率等领域。为探究温度对4H-SiC mosfet静态特性的影响规律,以指导高温高压环境下4H-SiC mosfet的设计与制造,文章基于Silvaco平台对高压4H-SiC mosfet器件进行了仿真建模,获得了其不同温度下的击穿电压、转移特性和输出特性,探究了温度对其击穿电压、阈值电压、饱和漏电流、导通电阻的影响规律。文章最终得到了300 K时击穿电压为4450 V的SiC mosfet器件元胞结构模型,验证了其静态特性及参数受温度影响较明显,该影响规律符合SiC mosfet的静态特性理论。

摘要：目前在桥式电路中上桥臂的驱动电路常采用自举驱动,由于各桥臂使用的是同一组电源因此相互之间存在着干扰,当参数选取不够合理时还会出现较高的电压尖峰损坏驱动芯片和开关管,在对驱动电路要求严格的场合通常需要为每个桥臂提供独立电源。目前市场上隔离DC/DC的产品较多,但专门为隔离驱动而设计的隔离DC/DC产品还比较少。通过对功率mosfet和IGBT开通特性和关断特性的研究,得出了功率mosfet和IGBT对驱动电路的要求。设计了一种带隔离DC/DC,适用于功率mosfet和IGBT隔离驱动电路。并通过实验测试了该驱动电路的性能。

摘要：本文提出了一种计算LDD(Light-Doped Drain)mosfet表面横向电场的解析模型.该模型含LDD mosfet几何和掺杂参数,可用以计算具有不同长度、结深及掺杂的轻掺杂漏区的LDD mosfet表面横向电场,并可计算常规mosfet和缓交漏mosfet的表面横向电场.用该模型算得结果与用FD-MINIMOS进行数值计算得到的结果相符.基于该模型算得的电场结果,可计算衬底电流,并进而计算击穿电压.该模型可十分简便地确定LDDmosfet的最佳几何参数的掺杂参数,为LDD mosfet的设计提供便利的工具和快速的参数提取方法.

摘要：文中介绍了驱动电流、驱动功耗的计算方法;分析了mosfet开关过程中电流电压的变化规律;最后对常用的驱动电路解决方案及其优缺点、设计中需要注意的问题等进行了分析总结。根据mosfet门级驱动电路的特点及设计过程中需要考虑的影响因素,为可靠、高性能的mosfet应用设计提供参考。