T=题名(书名、题名),A=作者(责任者),K=主题词,P=出版物名称,PU=出版社名称,O=机构(作者单位、学位授予单位、专利申请人),L=中图分类号,C=学科分类号,U=全部字段,Y=年(出版发行年、学位年度、标准发布年)
AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
范例一:(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二:P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016
摘要:应用有限差分方法对金属-半导体-金属光探测器进行二维分析,全部数值模拟工作都是基于半导体物理的基本微分方程完成的·结合模拟结果对金属-半导体-金属光探测器的瞬态响应进行了分析,以特性分析结果为基础针对探测器的响应速度和响应率等性能指标进行了二维结构上的优化设计·
摘要:基于有限差分方法对金属半导体金属(msm)光探测器进行了二维分析,得到有明确物理意义的模拟曲线和结论,并结合模拟结果对msm光探测器的光电直流特性进行了分析.全部模拟工作都是基于半导体物理的基本微分方程完成的,这对于未来优化设计探测器的性能和结构有很大的意义.
摘要:本文详细介绍了一套完整的 In Ga As msm光探测器的等效电路模型。模型包括暗电流、直流、交流、瞬态和噪声等特性的等效电路模型。每一部分均从经典的物理模型出发 ,结合实际情况设计构造 ,并将理论曲线与试验数据进行了比较 ,结果是令人满意的。
摘要:本文介绍了利用 In Ga As金属 -半导体 -金属 (msm)长波长光探测器与 In Al As- In Ga As高电子迁移率晶体管 (HEMT)单片集成来实现长波长光接收机的材料和电路设计、工艺途径等研究工作 ,基本解决了两种器件集成的工艺兼容性的问题 ,实现了 1.3Gb/ s传输速率的单片集成长波长光接收机样品。
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