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飞兆半导体的80VMOSFET提供38%更低miller电荷及33%更低FOMDC/DC转换器电源设计带来更佳的系统效率: 收藏
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引用; 《电子与电脑》2005年第1期5卷 70-70页; 飞兆半导体公司(Fairchild Sereiconductor)宣布推出采用SO-8封装的80伏N沟道MOSFET器件FDS3572，具备综合的性能优势，能同时为DC／DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7．5nC miller电荷(Q...; 飞兆半导体公司(Fairchild Sereiconductor)宣布推出采用SO-8封装的80伏N沟道MOSFET器件FDS3572，具备综合的性能优势，能同时为DC／DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7．5nC miller电荷(Qgd)，比相同RDS(on)级别的产品低38％。该器件的低miller电荷加上低RDS(on)(16毫欧)特性。; 来源：详细信息评论

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