摘要：由于SiC mosfet在高速开关电源中的广泛应用,导致严重的电磁干扰(EMI)问题,因此EMI滤波器的设计成为研究热点。为了满足电磁兼容(EMC)标准,无源EMI滤波器可以有效地降低DC-DC变换器产生的电磁干扰,但是无源磁性器件的体积较大,不利于提高DC-DC变换器的功率密度。该文分析DC-DC变换器的电磁干扰源和噪声源阻抗特性,建立无源和有源EMI滤波器的理论模型,提出宽频混合EMI滤波器的设计方法。最后,通过实验验证宽频混合EMI滤波器对DC-DC变换器EMI的抑制效果。

摘要：由于Trench结构在降低元胞单元尺寸、提升沟道密度和消除JFET区电阻等方面的优势,Trench型mosfet已广泛应用于低压产品领域。在研究抗辐射机理和抗辐射加固技术的基础上,设计了一款新型抗辐射Trench型N30Vmosfet器件。实验结果显示,产品击穿电压典型值达42V,特征导通电阻为51mΩ·mm^(2)。在^(60)Co γ射线100krad(Si)条件下,器件阈值电压漂移仅为-0.3V,漏源漏电流从34nA仅上升到60nA。采用能量为2006MeV、硅中射程为116μm、线性能量传输(LET)值为75.4MeV·cm^(2)/mg的^(118)Ta离子垂直入射该器件,未发生单粒子事件。

摘要：A 4H-SiC mosfet with breakdown voltage higher than 3300 V has been successfully designed and fabricated. Numerical simulations have been performed to optimize the parameters of the drift layer and Dmosfet cell structure of active area. The n-type epilayer is 33μm thick with a doping of 2.5 × 10^15 cm-3. The devices were fabricated with a floating guard ring edge termination. The drain current 1d= 5 A at Vg = 20 V, corresponding to vd = 2.5 v.

摘要：特定工艺条件下的器件失配程度限制了射频 /模拟集成电路的设计精度和成品率。电路设计者需要精确的mosfet失配模型来约束电路优化设计 ,版图设计者需要相应的设计规则来减小芯片失配。本文介绍了 mosfet失配的基本概念 ;回顾了 mosfet模型的研究进展及相关的版图设计技术、计算机仿真方法 ;总结了 mosfet失配对电路性能的影响及消除技术。最后探讨了

摘要：由于传统驱动下碳化硅(SiC)mosfet受高开关速度特性及寄生参数影响,桥臂串扰现象更加严重,而现有抑制串扰驱动电路又往往会增加开关损耗、开关延时和控制复杂程度,因此本文结合驱动阻抗控制与负压关断的串扰抑制方法,提出一种改进门极驱动电路。首先,阐述串扰现象产生原理及其典型抑制方法。其次,在负压关断前提下,基于控制辅助三极管开断,降低串扰产生过程中驱动回路阻抗的思想,提出一种在栅源极增加三极管串联电容新型辅助支路的改进驱动方法,并分析其工作原理,研究改进驱动电路关键参数设计原则。最后,搭建双脉冲测试实验平台,在不同驱动电阻、输入电压、负载电流条件下对改进驱动电路设计的有效性进行验证。结果表明,传统驱动下SiC mosfet桥臂串扰现象明显。相比典型抑制串扰驱动电路,提出的驱动方法在有效抑制串扰同时,减小了开关损耗与开关延时。

摘要：采用平面栅mosfet器件结构,结合优化终端场限环设计、栅极bus-bar设计、JFET注入设计以及栅氧工艺技术,基于自主碳化硅工艺加工平台,研制了1200V大容量SiC mosfet器件.测试结果表明,器件栅极击穿电压大于55V,并且实现了较低的栅氧界面态密度.室温下,器件阈值电压为2.7V,单芯片电流输出能力达到50A,器件最大击穿电压达到1600V.在175℃下,器件阈值电压漂移量小于0.8V;栅极偏置20V下,泄漏电流小于45nA.研制器件显示出优良的电学特性,具备高温大电流SiC芯片领域的应用潜力.

摘要：介绍了mosfet调制器的基本原理,并对其并联分流和感应叠加两种开关结构进行了实验研究。基于可编辑逻辑器件设计了其触发电路,驱动电路采用高速mosfet对管组成的推挽输出形式,加快了mosfet的开关速度。利用Pspice软件对开关上有无剩余电流电路(RCD)两种情况进行仿真,结果表明,加装RCD电路可以有效吸收mosfet在关断瞬间产生的反峰电压。实验中,电流波形用Pearson线圈测量,用3个mosfet并联作开关,当电容充电电压为450 V,负载为30Ω时,脉冲电流13 A,前沿20 ns,平顶约80ns;用3个单元调制器感应叠加,当电容充电电压为450 A,负载为30Ω时,脉冲电流强度为40 A,前沿25 ns,平顶约70 ns。

摘要：针对宽频测量系统量值传递需求,基于Marx电路设计了一款单极性方波脉冲源。该脉冲源以mosfet器件为核心,采用光纤隔离驱动方案实现10 kV的方波脉冲输出。采用叠层结构搭建12级样机,实现了脉冲发生器的模块化与小型化。实验结果表明:该方波脉冲源在带300 pF以下的容性负载时可实现前沿小于百纳秒、输出电压kV级别、脉宽200μs的脉冲输出。该电源适用于宽频测量设备的方波响应性能实验等脉冲功率相关用途。

摘要：研究了SIMOXSOI器件的电学特性 .发现在众多的mosfet中 ,输出特性曲线的低漏压端都出现了“鸟嘴”形畸变 ,表现在转移特性曲线上便是高栅压区域中漏电流的深度饱和 .在经历沟道热载流子应力之后 ,这类器件的电学参数退化不同于一般器件的损伤特性 .研究发现Nmosfet在应力之后其漏电流的深度饱和得到恢复 ;而对于PMOS ,应力之后输出特性中的“鸟嘴”形畸变并没有消弱的迹象 .这些性质对于SOI器件可靠性设计和可靠性加固均是重要的 .

摘要：为正确地评估高速SiC mosfet的开关特性,基于双脉冲测试平台对精准的测试方法进行研究。首先,仿真证明电路中寄生电感对SiC mosfet开关特性的影响,优化设计PCB布局以减小寄生电感,对比PCB布局优化前后的测试结果。其次,对比分析续流二极管的结电容以及负载电感的寄生电容对SiC mosfet开通特性的影响。然后,对比分析使用不同带宽的非隔离电压探头、不同电压探头地线连接方式、不同电流测试设备对测试结果的影响,并说明电压与电流波形之间相位延迟对开关能量损耗的影响。最后,对比分析不同测试点对测试结果的影响。