摘要：本文介绍了在步进电机驱动器中利用IR2110S完成mosfet驱动的设计,并给出试验结果。

摘要：SMPSIGBT是IGBT的最新一代,为用于高频高压SMPS专门设计。设计人员目前可以用SMPSIGBT替代mosfet,提高电源密度和效率,减小整个系统成本。

摘要：设计了一种用于MUPS装置的功率mosfet半桥驱动电路,该电路基于TC4420芯片配合SG3525芯片作为驱动和控制模块,提高了逆变器驱动电路正常运行的稳定性。揭示了该mosfet驱动电路的机理,设计计算了控制和驱动芯片外围电路及主要参数。并通过软件Saber搭建了该模块的仿真模型,仿真结果证明了该驱动电路的可行性。

摘要：介绍了以单片机为核心的功率mosfet测试仪的原理、系统结构及具体的软硬件设计。将脉冲功率法引入功率mosfet跨导和沟道电阻的测试,很好地解决了大电流偏置下参数测试的散热问题。所设计的功率mosfet测试仪可以进行功率mosfet的耐压、沟道电阻、开启电压、跨导及输入结电容几个参数的精确测量,并已实用化。

摘要：Onsemi公司的NCP4307是用于多个高性能开关电源拓扑的同步整流(SR)mosfet的高性能驱动器.器件从内部的200V CS引脚自供电,使得高边配置和低VOUT不需要辅助电源.双VCC引脚选择最佳的VCC源来最大限度降低损耗,因此为各种VOUT应用优化了设计.次级边同步整流驱动器用于高效率SMPS拓扑.

摘要：分析了现有"车用电压调节器"的工作原理及其存在的问题,研制出"自动保护 mosfet 电子调压器",并分析其电路组成、工作原理和电路特点。

摘要：本文从驱动电路设计者的角度对MOS器件的输入电容和密勒电容进行了详细分析,并从器件基本原 理上,对决定栅电荷的寄生元件在不同的栅电压下对栅电荷的作用进行了系统的阐述。最后总结了当前国际 上为降低栅电荷提出的最新MOS器件结构。

摘要：全球SiC领先者CREE推出了业界首款900Vmosfet：C3M0065090J。凭借其最新突破的SiCmosfetC3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进行了优化。超越同样成本的Si基方案，能够实现下一代更小尺寸、更高效率的电力转换系统，并大幅降低了系统成本。C3M0065090J突破了电力设备技术，是开关模式电源（spm）、电池充电器、太阳能逆变器，以及其他工业高电压应用等的电源管理解决方案。

摘要：为了在满足较高的功率密度要求下,设计适应电动汽车用的锂离子电池充电机,提出了一种基于碳化硅mosfet的高频全桥LLC变换器。针对电动汽车动力电池的充放电特性,对锂离子电池在恒电流充电模式通过基于基波等效法进行建模,并在此基础上研究设计了变换器在高频工作状态变压换器谐振参数。设计搭建了一台最大输出功率6 600 W,输出电压为300 V到450 V的全碳化硅LLC变换器。实验结果表明:在减小了无源器件体积的前提下,该变换器达到了较高的效率(峰值效率达到了98.4%),总体上较大地提高了变换器的功率密度。