摘要：设计者必须平衡空间及功率上的限制。

摘要：在半导体器件的研制过程中,用计算机数值模拟取代测量方法来优化设计器件的性能参数,则器件的调试周期将显著缩短,费用将大幅度降低。本文简述了新型纳米尺寸mosfet器件模拟的主要物理模型和数值方法,阐述mosfet相关器件模拟的国内外研究动态,判断其发展趋势和研究方向。

摘要：根据SiC mosfet开关特性,设计了一种SiC mosfet的驱动电路,在此基础上采用双脉冲测试方法,对SiC mosfet的开关时间、开关损耗等进行了实验测量,分析了不同驱动电阻对SiC mosfet开关时间、开关损耗等的影响。

摘要：前不久，能源之星发布了2．0版外部电源能效规范。新规范大幅提高了工作频率要求，同时进一步降低待机功耗要求。例如，为了满足新规范，2．5W（5V，0．5A）外部电源的最低效率必须达到72．3％，新规范要求空载功耗应低于300mW，这些都比目前使用的规范有了大幅提高。不仅是外部电源，很多手持式产品及家电产品，同样面临着低功耗的考验。以手机为例，随着智能手机的功能越来越多，低功耗设计已经成为一个越来越迫切的问题。

摘要：飞利浦电子推出采用飞利浦无损耗封装(LFPAK)的高性能汽车(HPA)TrenchMOS mosfet，设备结合了飞利浦在汽车领域的经验和TrenchMOS技术，

摘要：电力电子产业未来的发展趋势之一便是使用更高的开关频率以获得更紧密的系统设计,而杳高开关频率高功率的应用中,SiC器件优势观显,这就便得SiCmosfet在5G基站、工业电源、光伏、充电桩、不间断电源系统以及能源储存等应用场景中的需求不断提升。SiC mosfet的特性更好的耐高温与耐高压特性基于SiC材料的器件拥有比传统Si材料制品更好的耐高温耐高压特性。

摘要：本文主要讨论了功率ＭＯＳＦＥＴ驱动电路的设计方法以及主要注意事项。

摘要：电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从去年4月份开始以"电力电子器件知识"为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。

摘要：基于SOI CMOS技术的抗辐射电路设计存在开发周期长、测试费用昂贵的问题。针对这一难点,本文通过对总剂量辐射效应机理的分析,提出了一种背栅总剂量效应电流模型。模型验证结果表明,该背栅总剂量模型仿真结果能高度吻合测试结果,模型能够给电路设计者提供可靠的仿真结果,缩短抗辐射电路开发周期,具有实用意义。

摘要：对于音频放大电路而言，尽管许多DIY爱好者都明白“简单容易出靓声”的道理，但在实际制作中仍有许多人、特别是初学者往往对设计简洁、用料普通的电路不屑一顾，总喜欢在复杂的线路上盲目进行“补品”堆砌，期望得到理想的效果，结果往往事与愿违。本文介绍的电路来自互联网络，是一款典型的“简洁、靓声”的设计，集线路简洁、调试简单、工作稳定、音色迷人、性价比高等优点于一身。笔者试制时对个别元件作了适当调整，加入了稳压电路，扩充了电压的使用范围，电路见图1。