摘要：中国科学院微电子研究所(IMECAS)宣布在22 nm CMOS制程上取得进展,成功制造出高K金属闸mosfet。中科院指出,中国本土设计与制造的22nm元件展现出更高性能与低功耗。根据中科院微电子研究所电路先导工艺研发中心表示。

摘要：SiC mosfet支持高能效、小外形、强固和高性价比的高频设计,用于汽车、可再生能源和数据中心电源系统推动高能效创新的安森美半导体,推出了两款新的碳化硅(SiC) mosfet。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1.

摘要：本文对mosfet的射频建模问题进行了综述,介绍了适合于GHz射频仿真、能精确预测射频特性的mosfet射频模型,并对其相应的噪声模型进行了分析,总结了mosfet射频建模的特点和需要注意的事项。

摘要：介绍了ICP(感应耦合等离子体)C类射频振荡器的设计和调试结果。低温等离子体的应用已经非常广泛。以感应耦合方式将射频能量送入中性气体中激发等离子体,已经成为重要的等离子体源类型之一。传统的功率射频发生器大多使用电子管,体积大,也比较笨重。在射频发生器和等离子体装置之间需要设置射频传输线和匹配箱。以M O SFET代替传统的电子管作为有源器件组成的振荡器,体积很小,可以与等离子体源直接连接,省去了射频传输线和传输线终端的匹配箱。振荡器的频率为13.56 MH z,输出功率为200 W。试验结果达到了设计要求。

摘要：IC升压稳压器面向需要将电池电压升高的便携系统应用,它往往有一个能驱动储能电感的输出晶体管.但是,大多数升压稳压器额定的绝对最高输入电压一般不会超过6V,这种电压足够电池工作.

摘要：针对在对潜甚低频通信中的长波通信功率放大技术中存在的功率损耗大、功率密度低等问题,论文提出采用第三代宽禁带半导体SiC器件制作功率合成发射机。其能够提高功率密度,减少功率损耗。论文详细分析了基于SiC MOS-FET的功率合成发射机的基本原理以及参数设计,并且推导了级联功率桥消除低次谐波的控制算法和可调直流电源的闭环控制算法,并通过Matlab/Simulink仿真验证了参数设计的合理性。

摘要：本文介绍了美国IR公司专为驱动半桥逆变器同桥臂的两个mosfet或IGBT而生产的高压高速驱动器,文中讨论了其引脚排列、各引脚的名称、功能和用法、主要设计特点和参数,剖析了它的内部结构及工作原理,探讨了它的应用技术,并给出了应用实例。

摘要：三菱电机开发了首款6.5kV全SiC（Silicon Carbide）功率模块,采用高绝缘耐压HV100标准封装（100mmí140mm）。通过电磁仿真和电路仿真,优化了HV100封装的内部设计,并通过实际试验验证了稳定的电气特性。6.5kV HV100全SiC功率模块为了提高功率密度,将SiC SBD（Schottky Barrier Di-ode）与SiCmosfet芯片集成在一起。

摘要：凌特公司(Linear Technology)推出6Amosfet栅极驱动器LTC4441，使DC／DC控制器可驱动更高功率N沟道mosfet或多个并联mosfet，从而提高DC／DC控制器输出功率和效率。LTC4441的栅极驱动电压在5V至8V范围内可调，使设计人员可选择标准门限或逻辑电平mosfet，

摘要：随着能够降低系统成本并提高系统效率的中间总线架构(IBA)在电信功率系统中的日渐流行,mosfet的额定击穿电压也正在不断扩展,以优化RDs(on)和成本性能.本文将讨论在商用DC/DC转换器和POL 转换器中日益普及的mosfet特性.