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检索条件"主题词=Mosfet"
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探讨采用绿色和非绿色模塑料封装的功率mosfet器件之性能
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《电子设计应用》2009年 第4期7卷 70-73页
作者:Yeoh Lai Seng飞兆半导体马来西亚公司 
绿色指令推动半导体厂家在其微电子产品封装中摒弃氧化锑、阻燃剂及卤代化合物之类的环境有害物质,然而人们可能担心,绿色封装中的新化学材料有可能影响半导体器件的性能。本文中通过热压应力测试对采用绿色和非绿色环氧模塑料(EMC)封...
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单通道mosfet或IGBT栅极驱动器集成电路IR2117
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《国外电子元器件》2001年 第5期1卷 40-42页
作者:李宏 张培平西安石油学院 大庆油田热电厂 
:IR2117是美国IR公司专为驱动单个mosfet或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能特点和参数限制 ,同时剖析了它的内部结构和工作原理 。
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大功率mosfet管壳跻身于高密度电力系统中
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《今日电子》1999年 第5期 17-18页
实现更高的功率密度是新式远距离通讯和数据通讯系统对电源设计者提出的进一步要求。为了使之得以实现,功率半导体供应商推出了一系列“最大功率”mosfet和二极管管壳。 这些管壳能够将以前置于较大管壳中的器件封装进去,为使开关损耗...
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电力电子器件知识讲座(十四) mosfet及IGBT栅极专用驱动电路(三)
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《电子元器件应用》2012年 第5期14卷 57-60页
电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从去年4月份开始以"电力电子器件知识"为题开展讲座,以满足广大读者增长...
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美高森美发布用于高压工业应用的创新SiC mosfet系列继续保持在碳化硅解决方案领域的领导地位
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《半导体信息》2014年 第3期 5-6页
作者:江安庆 
致力于提供功率、安全、可靠与高性能半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation)推出全新碳化硅(Silicon Carbide,SiC)mosfet产品系列─1200V解决方案。该系列创新SiCmosfet器件设计用于效率至关重要的大功率工业...
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在升压变换器中利用新型mosfet减少开关损耗
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《电源技术应用》2001年 第1期4卷 48-51页
作者:毛兴武 许海东山东省临沂市电子工业公司临沂276004 北京韶光科技有限公司北京100086 
升压变换器通常应用在彩色监视器中。为提高开关电源的效率,设计者必须选择低开关损耗的 mosfet。在升压变换器中,利用 QFET 新型 mosfet 能够有效地减少系统损耗。
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一种高精度功率mosfet参数测试系统
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《电力电子》2010年 第6期8卷 46-49页
作者:宋清亮 晋兆国深圳华为技术有限公司 
功率mosfet的参数如寄生电容,转移特性,输出特性,门限电压等对功率mosfet的应用及其仿真建模具有重要的影响。本文从工程角度设计了一套功率mosfet参数测试系统,通过器件Datasheet,供应商实测结果与本测试系统实测结果的对比,证明了本...
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ST L9945八路12V和24V系统全配置高-低边mosfet预驱动解决方案
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《世界电子元器件》2019年 第6期 60-62页
ST公司的L9945是八路mosfet预驱动器,可配置成用于低边,高边,峰值和保持以及H桥负载的控制,设计用于12V(客车)和24V(商用车)电池系统.所有输出是PWM控制的,其中6个输出能安全驱动相关载荷,一个能激励需要专用使能引脚(EN6)的相关载荷.L9...
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如何为ORing mosfet控制器选择功率FET
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《中国电子商情》2016年 第7期 35-37页
作者:Jerome JohnstonIntersil公司 
许多电源应用都使用多个具有容错功能的电源来分担负载电流,或者采用具备冗余度的电源系统来保证高可靠性。在这些功率分配系统中,并联的电源通过相应的输出分担方案提供相同水平的负载电流。一种常见设计是包括分立ORing功率二极管,以...
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基于功率mosfet管的RCC变换器研究
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《船电技术》2007年 第6期27卷 351-353,373页
作者:龙轶 高红星 唐军中船重工集团公司712研究所武汉430064 
介绍了一种基于功率mosfet管的RCC变换器,首先分析其工作原理,然后针对功率mosfet管的特点阐述了RCC变换器电路中功率mosfet管的驱动和电路参数设计。试验结果证明了该电路的实用性。
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