摘要：加的斯大学(UCA)的一组研究人员设计了一种基于高效半导体材料的电子晶体管,该晶体管具有新颖的结构,可应用于能源领域,例如风能和光伏电站以及电动汽车。由UCA创建的器件是一种新的mosfet,其得益于两个方面,从而改善了当前晶体管的特性:一方面,已经使用了由一系列层组成的原始三维结构,它可以防止内部产生高电场或可能发生的短路;另一方面,金刚石被集成做为mosfet的基础材料,它作为半导体材料具有良好的电气和热性能。这两个功能在晶体管应用中提供了更大的通用性。随着金刚石的掺入,研究人员在器件效率方面取得了显着改善,从而将电力变压器的重量和能量损失减少多达90%。该器件的特性还使其在新结构中具有更大的通用性,使其成为电子工业领域,尤其是能源领域的真正有价值的产品。

摘要：高温可靠性是目前限制SiC mosfet晶体管高温应用的关键问题之一。本文介绍了基于国内碳化硅器件工艺平台研制的1 200 V SiC mosfet器件的直流特性,并通过高温栅偏(HTGB)和高温反偏(HTRB)试验对器件高温可靠性进行测试分析。试验结果表明:所研制的1 200 V SiC mosfet器件在经过168 h的HTGB和HTRB可靠性试验后,所有测试器件的击穿电压>1 200 V,阈值电压偏移量<15%,导通电阻偏移量<15%,显示出优良的器件鲁棒性,也初步证明了国产SiC mosfet器件的设计、工艺及其研制的可行性。

摘要：器件尺寸按比例缩小是实现超大规模集成电路的有效途径，但寄生和二级效应却将器件尺寸限在一定的水平。本文在对比分析常温与低温下小尺寸器件效应的基础上，重点研究了ＭＯＳ器件亚阈特性对器件性能及按比例缩小的影响，并根据低温工作的特点，提出了ＭＯＳ器件一种低温按比例缩小规则，该原则对低温器件的优化设计，从而更大程度地提高电路与系统性能具有重要的指导意义。

摘要：为了实现低功耗的应用,设计了一种增强型InGaAs沟道mosfet器件,通过改变InGaAs沟道中的In组分和器件掺杂层中的P型掺杂浓度,对器件的Ⅰ-Ⅴ特性进行了模拟仿真和分析。实验结果表明:8μm栅长的增强型InGaAs沟道mosfet器件的关态电流小于1×10^(-8) mA/mm,器件的开关比达到9个量级,说明了降低InGaAs沟道的In组分和提高InAlAs掺杂层中的P型掺杂浓度能够降低器件的关态电流,增大器件电流开关比,从而实现了低功耗的器件性能。

摘要：2012年8月16日,提升功率密度和轻载效率是服务器、电信和AC-DC电源设计人员的主要考虑问题。此外,这些开关电源（SMPS）设计中的同步整流需要具有高性价比的电源解决方案,以便最大限度地减小线路板空间,同时提高效率和降低功耗。有鉴于此,飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）扩展PowerTrench mosfet系列来帮助设计人员应对电源设计挑战。

摘要：用模拟等效电路，源极有恒流源电路分析高频下，ＭＯＳＦＥＴ源极跟随器的极间电容、寄生电容引起的一些特殊效应．为宽带ＭＯＳＦＥＴ源极跟随器的设计提供理论依据．若将宽带跟随器作为电子仪器输入级，可居同类跟随器输入级的先进水平．

摘要：2007年5月16日，全球高性能模拟半导体设计和制造领导厂商Intersil公司宣布，推出高频6A吸入电流同步（sink synchronous）mosfet栅极驱动器ISL6615和ISL6615A。这些新器件有助于为系统安全提供更高的效率、灵活性和更多的保护功能。

摘要：Microsemi推出高频率垂直扩散金属氧化物半导体（VDMOS）mosfet产鼎系列，两款更大功率、更高电压（V）VRF2944和VRF3933器件经设计在2MHz-60MHz的工、№、科学和医疗（ISM）频率范围运作，

摘要：采用数值模型成功地实现了薄膜深亚微米SOImosfet的瞬态数值模拟．为了提高模拟软件的计算效率和收敛速度，采用交替方向格式对载流子连续方程进行数值求解，得到了较为理想的模拟结果．通过大量的模拟计算，较为详细地分析了薄膜深亚微米全耗尽SOImosfet的瞬态工作机理，为今后小尺寸CMOS／SOIVLSI电路的设计提供了理论基础．

摘要：介绍了一种用２μｍＮ阱双层多晶硅ＣＭＯＳ工艺实现的音频低通ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ连续时间滤波器，该滤波器实现了带内波动为０．１ｄＢ，通带截止频率３．４ｋＨｚ（可调）的传输函数特性。设计了一个具有精确输出平衡电平控制的平衡结构差分运算放大器，以实现该滤波器的平衡网络结构。