摘要：Diodes公司推出同步mosfet控制器ZXGD3104N8，其额定电压为25V，适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计。这款新品能取代返驰式转换器内效率较低的肖特基二极管，并通过减少多达70％的整流器损耗，有效提升最高达3．5％的电源效率。因此，该器件有助于电源供应系统更容易地达到能源之星V2．0所规定的电源平均效率需达到87％的评级要求。

摘要：Toshiba America Electronic Components推出新系列高电压π-MOSVII mosfet。π—MOS VII mosfet结合了先进的工艺技术与平面处理工艺，对电压和RDS（ON），额定功率的选择范围更宽。Toshiba公司开发的新产品阵容明确了市场对AC／DC和镇流器应用的需求，通过使用该公司第七代π—MOS工艺技术，实现高度的单元集成和优化的单元设计。π—MOSVII系列产品先推出的13个器件中包含7个500V mosfet和6个600V mosfet，目标应用为开关电源，如笔记本电脑和台式电脑、平板显示器的AC适配器以及用于照明的镇流器。

摘要：本文在分析了SPICE II-MOS2,MOS3模型中所存在的问题之后,重新建立了一个实用于电路模拟的微米级mosfet解析模型──MOS5模型(本文仅限于介绍其开启电压模型部分).经实验证明,此模型适用于对不同工艺制得的各种尺寸增强型MOS管的开启电压模拟(L_(eff)≥1.0μm).与原SPICEII-MOS2,MOS3模型相比,此新模型具有参数简单易得、物理意义明确、以工艺参数为主等特点.此模型现已装入SPICE II程序中,达到了实用的目的,并可对VLSI设计与制造起一定的指导作用.

摘要：Through the theoretical analysis and computer simulation,the optimized design principles for Si/SiGe Pmosfets are given,including the choice of gate materials,the determination of Ge percentage and the profile in SiGe channel,the thickness optimization of dioxide and silicon cap layer,and the adjustment of threshold *** light of them,a SiGe Pmosfet is designed and fabricated *** measurements indicate that the transconductance is 45mS/mm (300K) and 92mS/mm (77K) for SiGe Pmosfet's (L=2μm),while it is 33mS/mm (300K) and 39mS/mm (77K) for Si Pmosfet.

摘要：飞兆半导体公司推出PowerTrench mosfet器件FDMB2307NZ。FDMB2307NZ专门针对锂离子电池组保护电路和其他超便携应用而设计，具有N沟道共漏极mosfet特性，能够实现电流的双向流动。

摘要：为实现mosfet(Metallic oxide semicendctor field effect tramsistor)剂量测量系统与核通高剂量率后装放射治疗机(microSelectron-HDR)辐射与测量的同步,设计了一个基于接口电路的触发系统,并在Qt平台下开发了相应的监测和采集触发程序。经测试证明,连接控制系统运行稳定,工作可靠。所采用的串口检测技术也可以扩展到其他医疗设备的连接应用上。

摘要：2008年10月21日，美国国家半导体公司宣布推出一系列全新的SIMPLE SWITCHER同步降压控制器。与此同时，该公司还推出了业界首套端到端mosfet筛选工具，可有效地协助工程师精简开关控制器的设计。该系列全新的PowerWise SIMPLE SWITCHER同步降压控制器共有4个不同型号，全部都适用于通信及工业系统。

摘要：采用硅栅结构的自对准离子注入工艺，研制成功了源漏击穿电压ＢＶＤＳ为１２０Ｖ、输出功率５．１Ｗ、功率增益８ｄＢ、跨导６５０ｍＳ、截止频率ｆＴ为２７０ＭＨｚ的高压双栅功率ＭＯＳＦＥＴ器件。介绍了器件结构参数和工艺参数的设计，给出了计算机数值分析结果。

摘要：通过求解沟道与埋氧层的二维泊松方程,同时考虑垂直沟道与埋氧层方向的二阶效应,建立了高κ栅介质GeOI金属氧化物半导体场效应管(mosfet)的阈值电压和亚阈斜率解析模型,研究了器件主要结构参数对器件阈值特性、亚阈特性、短沟道效应、漏极感应势垒降低效应及衬偏效应的影响,提出了优化器件性能的结构参数设计原则及取值范围,模拟结果与TCAD仿真结果符合较好,证实了模型的正确性与实用性。

摘要：本文介绍一种采用载流子总量方法分析SOImosfet器件特性及热载流子效应的数值模型。使用专用模拟程序LADES7联解器件内部二维泊松方程、电子和空穴的连续性方程。LADES7可用于设计和预测不同工艺条件、几何结构对器件性能的影响。该模型直接将端点电流、端点电压与内部载流子的输运过程联系在一起，可准确地模拟SOImosfet器件的特性并给出清晰的内部物理图象。本文给出了LADES7软件模拟的部分结果，并着重讨论了热载流子效应产生的栅电流。