摘要：在大功率半导体激光器(LD)的温度控制系统中,针对其控温执行器件半导体制冷器的驱动特性,设计了一种基于单片机的高精度脉宽调制(PWM)功率驱动器。以89C51单片机为控制核心,采用12bit的D/A转换器,确保了整个系统具有较高的控制精度。采用切换D/A基准电压的方法解决了扩大系统动态范围与提高控制精度之间的矛盾,提高了系统的性能价格比。提出了一种防止mosfetH 桥桥臂"直通"现象的新型电路"D触发器 阻滞延迟电路"。输出电压误差率为0 4%。

摘要：随着晶体管尺寸按比例缩小,越来越薄的氧化层厚度导致栅上的隧穿电流显著地增大,严重地影响器件和电路的静态特性,为此,基于可靠性理论和仿真,对小尺寸mosfet(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的直接隧穿栅电流进行研究,并通过对二输入或非门静态栅泄漏电流的研究,揭示直接隧穿栅电流对CMOS(complementary metal oxide semiconductor)逻辑电路的影响。仿真工具为HSPICE软件,MOS器件模型参数采用的是BSIM4和LEVEL 54,栅氧化层厚度为1.4 nm。研究结果表明:边缘直接隧穿电流是小尺寸MOS器件栅直接隧穿电流的重要组成成分;漏端偏置和衬底偏置通过改变表面势影响栅电流密度;CMOS逻辑电路中MOS器件有4种工作状态,即线性区、饱和区、亚阈区和截止区;CMOS逻辑电路中MOS器件的栅泄漏电流与其工作状态有关。仿真结果与理论分析结果较符合,这些理论和仿真结果有助于以后的集成电路设计。

摘要：Si IGBT与SiC mosfet并联组成的Si/SiC混合器件(HyS)因在功率变换器中提供了一种成本与性能的优化折衷而受到广泛关注。其中,SiC mosfet特性直接影响Si/SiC混合器件的性能,对基于不同类型SiCmosfet的Si/SiC混合器件的特性差异分析极为必要。该文对比分析基于新型集成结势垒肖特基二极管(JBS)的SiCmosfet(SiCJMOS)的Si/SiC混合器件(HySJ)和基于传统平面栅SiCmosfet的传统Si/SiC混合器件(HySD)的特性差异。对比分析2种混合器件的导通特性与开关特性,结果表明,与HySD相比,HySJ具有更低的反向导通压降,更好的反向恢复性能和更小的开通损耗。建立适用于2种混合器件单相逆变器损耗模型,对比分析2种器件在逆变器应用中的损耗差异。设计基于2种混合器件的5kW单相逆变器样机,对比应用2种混合器件的变换器损耗、效率及器件结温。实验结果表明,在轻载条件下,与HySD方案相比,HySJ可以实现最大0.5%的峰值转换效率的提升。

摘要：本书是模拟集成电路设计课程的一本经典教材，作者从CMOS技术的前沿出发，结合丰富的工程和教学经验，对CMOS模拟电路设计的原理和技术以及容易被忽略的问题给出了详尽论述，阐述了全地区mosfet建模的设计方法。本书覆盖了模拟电路设计的基本知识。不同于以往标准的平方率模型，本书介绍了一种对各个应用领域都有效的基于mosfet模型的独特的设计方法。

摘要：本文以一种新型有机半导体材料———三明治型稀土金属元素镨双酞菁配合物 (Pr[Pc(OC8H17) 8]2 )为气敏材料 ,利用Langmuir Blodgett(LB)超薄膜技术 ,将Pr[Pc(OC8H17) 8]2 以 1:3的配比与十八烷醇 (OA)的混合LB多层膜(Pr[Pc(OC8H17) 8]2 /OA)拉制在自行设计的场效应晶体管上 ,形成了一种新型的以LB膜取代通常的mosfet中栅金属的化学场效应管器件 .将该器件放入NO2 气体中 ,随着气体浓度和LB膜层数的变化 ,器件的漏电流IDS将产生 0 0 5×10 -6A～ 1 5× 10 -6A的变化 ,探测灵敏度可达到 5ppmNO2 。

摘要：针对AC/DC同步整流和Oring电路的应用,国际整流器公司(IR)推出一组电压为75V和100V,具有超低导通电阻的AC/DC同步整流mosfet.

摘要：漂移阶跃恢复二极管(DSRD)具有开关速度快、重频高、工作电流大等优点,在脉冲功率技术中很有应用前景。研究了一种基于磁饱和变压器的DSRD泵浦电路拓扑结构,具有体积小、重量轻、可靠性高等特点。根据DSRD的工作要求,采用功率mosfet作为初级开关,结合磁饱和变压器的升压和磁开关特性,设计了DSRD的泵浦电路。利用Pspice软件对电路进行了仿真分析,验证了电路原理的正确性。在仿真分析的基础上,完成了一台原理样机的设计和电路实验。实验结果表明,该电源样机在前级充电电压800 V条件下,50Ω负载上产生的脉冲幅值大于7 kV,前沿小于4.2 ns(10%~90%),半高宽约10 ns。

摘要：利用MEMS技术在N型晶向的单晶硅衬底上设计并制作了以纳米硅/单晶硅异质结为源极和漏极的P-mosfets脉象传感器。在方形硅膜上制作四个以纳米硅/单晶硅异质结为源极和漏极P-mosfets,并将P-mosfets的沟道电阻设计成惠斯通电桥结构,从而实现对微小脉象信号的准确检测。实验结果表明,该硅脉象传感器在恒压源-3.0V供电条件下,灵敏度为1.623mV/kPa,准确度为2.029%F.S。

摘要：Fairchild推出800VSuperFET II mosfet系列，该系列提供广泛的可选封装并拥有极低的导通电阻和输出电容，可以帮助设计师提高高性能解决方案（需要600V／650V以上的击穿电压）的效率、成本效益和可靠性，同时通过减少元件的使用从而减少这些设计的电路板空间。极佳的可靠性，加上出色的效率和热特性，使其成为各种应用的理想之选。同时，多种可选封装为设计师带来巨大的灵活性，在尺寸受限的设计中尤为如此。

摘要：通用型功率模块产品，外部结构完全兼容，可以直接替换国内外相同封装式样的产品。内部设计进行了优化，在提高功率端子连线的可靠性基础上，增加了低热阻、低损耗的设计理念，具有完全的自主知识产权。