摘要：在电源系统的设计中．外置mosfet的挑选使得设计独立式的控制器比设计内置开关式控制器更为复杂。简化mosfet挑选过程成为越来越多设计人员的共同呼声。美国国家半导体近日宣布推出一系列全新的SIMPLESWITCHER同步降压控制器．全部都适用于通信及工业系统。配合业界首套端到端mosfet的筛选工具，可有效的协助工程师精简开关控制器的设计。此外，

摘要：传统上，FET体二极管反向恢复行为采用双脉冲试验方法来评估。由于这种试验方法旨在得出QIT和IRRM参数，因此，所施加的di／dt相对比较缓慢（100A／us）。在一定程度上，缓慢的dj，dt是因袭陈规，但同时也是因为随着di／dt的提高，寄生电感（Ldi／dt）会妨碍精确测定感兴趣的参数，

摘要：飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）扩展Power Trench mosfet系列来帮助设计人员应对电源设计挑战。这些产品属于中等电压mosfet产品系列成员，是结合低栅极电荷（QG）、低反向恢复电荷（Qrr）和软反向恢复体二极管的优化功率开关产品，可以实现快速开关。

摘要：英飞凌科技股份公司推出革命性的碳化硅（SiC）mosfet技术，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiC^TM mosfet具备更大灵活性，可提高效率和频率。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。

摘要：在仪表和测量系统中广泛使用了平方根计算电路，例如：用于计算任意波形rms（均方根）等。因此，设计师需要有一种高效的模拟平方根计算装置。由于制造商常采用MOS技术制造IC，采用基于mosfet的模拟平方根计算装置应该是很合适的。此设计实例就描述了一个这样的电路。该电路只采用mosfet提供平方根功能（图1）。它设计简单，

摘要：为了开展太赫兹器件试验研究,设计了高重复频率脉冲电源系统。电源输出脉冲电压30kV,脉冲电流200mA,最大重复频率3kHz,脉冲宽度10~100μs,采用本地PLC加远程计算机控制模式来实现电源的本控及遥控。对系统的核心部件:充电电源和脉冲开关的拓扑结构进行了研究,并开展了仿真和试验。结果表明:采用LC串联谐振恒流充电技术以提高充电电源工作效率以及在负载打火情况下的可靠性;基于mosfet并进行优化设计的串联脉冲开关可以获得快速的脉冲前后沿。电源系统的输出指标满足负载工作要求,在高重复频率、打火条件下能够稳定工作。

摘要：通嘉公司为高亮度LED电源设计人员开发出一组连续导通模式的降压转换驱动器LD7860，该款驱动器整合一组28V／1A mosfet，效率高达95％。

摘要：英飞凌科技股份公司推出革命性的碳化硅（SiC）mosfet技术，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiC^TM mosfet具备更大灵活性，可提高效率和频率。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求,并提高可靠性和降低系统成本。

摘要：随着电力电子技术的发展,电压浪涌对精密设备造成的影响也越来越大,传统的电压浪涌抑制方法已难以满足要求。对此提出一种基于mosfet的浪涌防护设计,简述了其浪涌防护的原理并提供了一种切实可行的电路设计方法。通过对设计的电路进行仿真验证,表明该电路设计对电压浪涌具有快速抑制效果,可以有效避免后级电路遭受电压浪涌的损害,为开关电源设计提供了一种新型的电压浪涌防护方法。