摘要：Diodes公司推出ZXGD3105N8同步mosfet控制器．让反激式电源设计师能以mosfet替换低效率的肖特基整流器，作为理想驱动二极管。同时，ZXGD3105N8还能使机顶盒取得少于100MW的待机功耗，以及逾87％的满载效率。

摘要：飞兆半导体(Fairchild)日前宣布推出采用SO-8封装的80 VN沟道MOS- FET器件FDS3572,能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7.5 nC Miller电荷(Qgd)。

摘要：飞兆半导体公司（Fairchild Sereiconductor）为电源、照明、显示和工业应用的设计人员带来SuPreMOS新一代 600V超级结mosfet系列产品。包括具有165mΩ最大阻抗的FCP22N60N、FCPF22N60NT和FCA22N60N，以及具有199mΩ最大阻抗的FCP16N60N和FCPF16N60NT。

摘要：英飞凌科技股份公司推出革命性的碳化硅（SiC）mosfet技术，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiCmosfet具备更大灵活性，可提高效率和频率。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。

摘要：随着智能电网、新能源发电技术和轨道交通的发展,中压和高压电力电子设备是必然的发展趋势,因此需要越来越多的高压功率半导体模块来降低拓扑和控制系统的复杂性。在应用时,单芯片高压SiC mosfet与串联低压SiC mosfet相互竞争。前者由于工艺不成熟,成本较高;后者由于器件串联,寄生电感较大。与技术不成熟且昂贵的高压SiC芯片相比,通过串联低压SiC器件来实现高阻断电压更具成本效益。低压SiC器件的串联方式包括模块级串联和芯片级串联,目前芯片级串联器件的研究还很少。

摘要：针对天河高性能计算机系统插件板12V供电结构进行软启动电路设计,采用最新的控制技术实现了全系统插件板大电流热插拔的功能,并对电路进行了实验测试。该设计技术最终应用在天河超级计算机全系统各类插件板上。

摘要：飞兆半导体推出了SPM5智能功率模块系列三相mosfet逆变器解决方案，为设计人员提供交流感应电机（ACIM）和无刷直流电机逆变器解决方案，适用于功率最高为200W的电机，包括风扇电机、洗碗机和各种小型工业电机。

摘要：本文针对一种对管mosfet产品6A/20V、-4.4A/-20V进行研究。产品具有低压、低阈值、低导通电阻,且具有抗单粒子37Mev/(mg/cm^(2))、抗电离总剂量100K rad(Si)要求特性,对产品进行了方案设计,以及关键设计技术和关键工艺技术分析,同时利用二维仿真软件ISE-TCAD对器件的电学特性进行了仿真模拟,产品经过最终流片、封装测试,技术参数达到了国外对应型号FDW2520C的技术特性指标,开关特性还优于FDW2520C,可以替代国外同类型号产品。

摘要：采用图腾柱的驱动方式,设计了应用于IXYS公司的功率mosfet器件DE375-102N12的驱动电路。单个开关在多脉冲下具有良好的脉冲一致性。以该功率mosfet器件进行的6个并联实验说明,影响并联的mosfet的动态均流的主要参数是放电回路中的回路电感和寄生电感,电路板的布局与布线对并联的功率mosfet有很大的影响,良好的布局可以大大提高电路的性能。

摘要：LTC6101是一个非常好的单向高压侧电流检测放大器。但是“单向”有时也是个问题。单向意味着两件事：不能检测负电流；不能一直准确地检测下去，直到电流为零。本文介绍一种设计方法，可以用一个mosfet和一个电阻解决上述两个问题。