摘要：SiCmosfet具有耐高压、低功耗、高速开关的特质，极大地提升了太阳能逆变器的电源转换效率．拉长新能源汽车的可跑里程，应用在高频转换器上，为重型电机、工业设备带来高效率、大功率、高频率优势据调查公司Yole developmet统计，SiCMoslet现有市场容量为9000万美元，估计在2013-2020年SiCmosfet市场将每年增长39％。由此可预见,SiC即将成为半导体行业的新宠!

摘要：近日，大联大控股宣布，其旗下品佳代理的英飞凌（Infineon）推出革命性的1200VSiCmosfet，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。大联大品佳代理的英飞凌的这款SiCmosfet带来的影响非常显著。电源转换方案的开关频率可达到目前所用开关频率的三倍或以上。

摘要：2018年4月10日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商…大联大控股宣布，其旗下品佳代理的英飞；麦（Infineon）推出革命性的1200V SiC mosfet，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。

摘要：ZXGD3104N8的额定电压为25V，适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计。这款新品能取代返驰式转换器内效率较低的肖特基二极管，并通过减少多达70％的整流器损耗，有效提升最高达3．5％的电源效率。因此，该器件有助电源供应系统更容易达到能源之星V2．0所规定的电源平均效率需达到87％的评级要求。

摘要：飞兆半导体公司扩充其AEC—Q101认证的30v和40Vmosfet产品系列，推出11种新型器件。这些低压Power Trench mosfet专为优化汽车应用的效率、性能和线路板空间而设计，其应用包括动力转向、集成启动器／交流发电机以及电机和螺线管驱动器设计等。

摘要：增强了电信/服务器电源系统设计的效率及关断dv/dt抗扰性快捷半导体公司(Fairchild Semicon-ductor International)已经推出新型500V、快速恢复系列mosfet,其性能优于传统mosfet,可用于电信和服务器中的电源系统中。这些新器件是由快捷半导体韩国工厂设计、开发生产的。与传统mosfet相比,这种新型FRFET将二极管反向恢复特性(Qrr,trr)增强了50％,增加了关断dv/dt免疫性。FRFET的软恢复特性能进一步降低系统功耗、增强耐久性、提高工作频率。 FRFET技术结合了低FOM

摘要：Cree最新研制的1200 V Z-FET器件可为应用于太阳能、电源和汽车驱动的SiC mosfet节省3-10 kW的能量。Cree在其行业第一的Z-FETTM家族中扩充了新产品——1200 V小电流SiCmosfet,为功率电子设计工程师提供了一个提高大体积功率转换器效率的途径。新mosfet器件补充了Cree现有的1200 V SiC mosfet产品,额定电流更小,使其以低廉的价格得到更广泛的应用,或用于同时优化系统的价格和性能。该新器件可用于替代3-10 kW功率变换器中现用的SiIGBT。该公司表示,

摘要：飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）推出全新超薄的高效率MjcroFET产品FDMA1027满足现今便携应用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P沟道***2P853则是2OVP沟道Power Trench mosfet．带有肖特基二极管，并采用2mm×2mm×0．55mm MLP封装。相比低电压设计中常用的3mm×3mm×1．1mm mosfet.

摘要：飞兆半导体针对DC/DC转换推出了5种N沟道40V mosfet,分别为FDS4770、FDS4470、FDS4780、FDS4480和FDS4672A,为膝上型电脑、电脑VRM、电信、数据通信/路由器及其他便携/手持式设备的电源设计,提供极佳的价格和效能优势。FDS4770的最大R_ds为7.5mΩ,最高结点温度为175℃。这些40V的mosfet具有增强的抗雪崩能力,能适应恶劣的操作环境。