摘要：国际整流器公司（IR）新推出的200V DirectFET器件是应用于专为36V～75V通用输入范围内操作的隔离式设计DC／DC转换器。其超低的51mΩ典型10V导通电阻RDS（on）及减低了的栅极电荷，使IRF6641TRPbF特别适合应用于高效同步整流mosfet、推动大电流负载的高频及高效的DC／DC转换器、新一代中间总线转换器、DC马达驱动器，以及为风力涡轮转换功率的48V变频器的同步整流，可实现95％的效率。

摘要：随着电力电子技术的发展,对于功率器件的要求也越来越高。为了更好的满足大功率应用场合的要求,需要多SiCmosfet进行并联,目前并联应用的方案在电机控制、逆变器等电力电子系统中的应用前景十分广泛。但是,由于SiC mosfet的静态因数和动态因素会直接影响到并联SiC mosfet的均流特性,从而造成单个器件承受过大的电流应力而损坏。因此,对于SiCmosfet均流特性的研究是非常有必要的。本文通过对SiC mosfet电路模型进行研究,给出了一种将两个功率支路共同接入同一共用磁芯的耦合线圈进行主动均流的方法,并对主要功率器件的设计方法进行了研究。

摘要：国际整流器公司(IR)推出的IRF6665 DirectFET mosfet，专为中等功率的D类音频放大器而设计。通过采用DirectFET封装技术降低了引线电感，提高了D类音频放大器的性能，并且改善了开关性能、降低了电磁噪声。无需散热器即可在8Ω阻抗上运行100W功率。从电池驱动的便携式产品到高端的专业级放大器，从乐器到汽车和家庭多媒体系统均能适用。***.

摘要：以前有篇设计实例描述了一种可编程电流源．使用的是美国国家半导体公司的LM317可调三端稳压器（参考文献1）。虽然该电路可以编程设定输出电流，但负载电流要流经BCD（二一十进制）开关。不过．你会发现很难买到能承受25mA以上电流的BCD开关，这就限制了电路的输出电流。使用Zetex公司简单的四脚ZXCT1010电池检测监控芯片．可以提升电流．因为电流不再流经BCD开关（图1）。

摘要：Diodes公司（DiodesIncorporated）推出互补式双mosfet组合DMC1028UFDB。旨在提升直流一直流转换器的功率密度。新产品把N通道mosfet及P通道mosfet集成到单一DFN2020封装。器件设计针对负栽点转换器，为专用集成电路提供从3．3v下降到1V的桉心电压。目标应用包括以太网络控制器、路由器、网络接口控制器、交换机、数字用户线路遣配器、以及服务器和机顶盒等设备的处理器。

摘要：Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封装mosfet。该器件的结点至环境热阻（Rthj-a）为130℃/W,能在持续状态下支持高达1 W的功率耗散,相比于占位面积相同、

摘要：二极管连接的MOS管以恒定电流偏置时,栅源电压与温度成线性关系.其温度变化率与偏置电流和MOS管的宽长比等因素有关.对此做理论分析的基础上,用Hspice进行了仿真.当取偏置电流为60μA,MOS管的宽长比为2/2时,仿真得到的栅源电压温度变化率为2.13mV/K.基于此温度特性,提出用PMOS管作为红外探测敏感元件,利用标准CMOS工艺,结合体硅加工技术制作红外探测器的方法,并将PMOS管串联以进一步增加探测器的灵敏度.

摘要：对于感应加热电源来说,在高频时对逆变器开关管损耗的控制比低频时更为严格,对其上升沿、下降沿的时间也要有更精确的控制,一个好的驱动电路可以很好的减小开关管的开关损耗。文中介绍了一种电流型高频感应加热电源用mosfet驱动电路,它结合IXDD414CI芯片进行设计,结构十分简单,工作频率高,时延很小,可靠性好。给出了驱动电路应用于200kHz/50kW电流型逆变器的实验结果,证明这个驱动电路运行状况良好,实用性强。