摘要：恩智浦半导体推出了LFPAK56D产品组合，是多款双恒道Power．S08mosfet，专为燃油喷射、ABS和稳定性控制等汽车应用而设计。恩智浦LFPAK56D系列产品完全符合AEC-Q101标准，具有较好的性能和可靠性。

摘要：这些mosfet采用SOT883封装，面积超小，仅为1．0mm×0．6mm。SOT883mosfet针对众多应用而设计，包括DC／DC电源转换器模块、液晶电视电源以及手机和其他便携设备的负载开关。

摘要：瑞萨推出采用6mm×6mm小封装的集成型驱动器mosfet。R2J20651NP设计用于电脑或服务器中的CPU和DDR类SDRAM电源，可实现96．5％的最高电源效率。

摘要：A6862电机驱动器IC适用于需要满足汽车安全完整性等级（ASIL）要求的汽车系统，这款新器件设计用于电动助力转（Electronic Power Steering，EPS）、电动制动、以及三相继电器驱动器等应用，并且可提供详细的安全认证文件。

摘要：设计了一种用于与激光二极管芯片进行集成的基于MOSFE场效应管的大电流脉冲驱动电路方案,计算了限流电阻对驱动电路中储能电容性能的影响,分析了mosfet场效应管峰值驱动电流与开通时间的估算公式,通过仿真软件研究了激光器的寄生电感对驱动电路波形的影响;理论和仿真结果表明,通过驱动电路与激光器芯片的一体化集成,提高了脉冲激光器性能,设计并制作了尺寸为14mm的微型化驱动电路;经测试,27V直流电压源驱动下,驱动信号上升时间小于15ns,脉宽25～150ns,最大占空比0.5%,输出幅值大于22V。

摘要：ST公司近日推出基于STripFET技术的低压N通道mosfet，适用于计算机底板和电信领域内的高频转换应用。STripFET技术采用优化的版面设计和新颖的制造工艺，可改善选通电极、栅电阻和输入电容特性。提供超低品质因数，可减少传导和转换损失。这次推出的产品包括STS12NH3LL，STDSSNH2LL，STDgSNH02L，

摘要：飞兆半导体针对DC/DC转换推出5种N沟道40Vmosfet,分别为FDS4770,FDS4470、FDS4780、FDS4480和FDS4672A,为膝上型电脑、电脑VRM、电信、数据通信/路由器及其它便携/手持式设备的电源设计,提供极佳的价格和效能优势。

摘要：这款采用SO8封装的mosfet控制器操作电压范围宽广，介于5～25V之间，可由适配器的19V供电轨直接供电，并且在瞬态过压状态下，保证器件正常工作。该器件拥有180V的mosfet漏极感应功能，有助设计师减少对外部钳位电路的需求，并能大幅减少配件数量和节省空间。

摘要：针对某款轻度混合动力汽车的皮带式启动发电一体机(BSG)控制器的散热问题,利用FloEFD进行数值模拟计算得出其原平行肋片散热器方案的温度场、流场分布,发现平行肋片的散热性差,肋片无法与空气充分接触散热。针对这些问题设计了三种新肋片结构的散热器,分别为直肋片、弯斜肋片和间隔型肋片。研究这三种肋片结构与肋片齿数耦合变化对控制器散热性能的影响,并对其中的最优方案采用控制变量法对肋片高度与厚度进行优化。结果表明:在肋片齿数少于33齿数时弯斜肋片和直肋片散热器的散热效果最优,在齿数增大到最大42齿数时三种散热器散热效果相近,33齿数直肋片散热器综合性价比最高。经过参数优化得出33齿数、厚2mm、高12mm直肋片散热器为最佳方案,可使MOS⁃FET平均温度降低5.26℃,最高温度降低5.14℃。通过实验证明了优化设计的正确性。研究结果对BSG控制器的散热设计提供了指导。

摘要：该显卡也采用了与盈通类似的双槽、双热管散热器，不过在供电设计上，该显卡有较大的改动。虽然采用的是与公版相同的2＋1分离式设计，但核心供电模块被移到了显卡左侧出风口的附近，这样会影响散热气流的流动。用料上，该显卡全部换用了更好的日本化工PSC固态电容．但同样为控制成本，该显卡每相电感数量由公版的2个减为1个电感由贴片式替换为普通柱形电感，mosfet也由德国英飞凌更换为意法半导体的产品。