摘要：针对电机等感性负载电路中,金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconduc-tor field effect transistor,mosfet)关断瞬间容易产生高幅值的高频电压振荡,不仅增加了系统的电压应力,还为系统带来严重的电磁干扰的问题,对mosfet的关断行为进行研究,通过分析低侧功率驱动电路中门极电压对mosfet关断过程的影响,推导出了关断过冲电压随门极电压变化的关系式;基于分析提出了闭环的三段式门极电压控制方法,并设计了电路,电路在漏极电压首次超过母线电压的瞬间,自动生成一段辅助电平信号,并施加至门极,用以抑制电压过冲和振荡。分析及实验结果表明,该电路简单、灵活、动态响应迅速,可以非常有效的抑制高幅值的高频电压振荡。

摘要：针对 RF电路模拟的需要 ,在文中提出了一个基于表面势的 mosfet大信号动态集总模型。这个模型是由 mosfet的 PDE模型简化推导而来。它不仅比传统的模型能更精确地描述晶体管在高频大信号情况下的伏 -安特性 ,而且比 PDE模型易于求解 ,从而大大提高了电路模拟的速度。通过模拟几个具体的 RF电路 ,将这个模型与 PDE模型作了比较 ,结果表明两者吻合得很好。

摘要：为满足高压输入、高功率密度的要求,分析了mosfet串联的静态均压与动态均压理论,结合反激DC/DC变换器拓扑,采用RCD箝位电路技术,设计了基于mosfet串联的电力工程电源。实验及实践表明,该设计运行可靠,市场竞争力强。

摘要：为确保碳化硅(SiC)功率器件在过载、短路等工况下能安全可靠地工作,必须充分认识SiC器件的短路机理。首先对SiC mosfet硬开关短路故障下短路电流原理进行了分析,在此基础上对不同电路参数对SiC mosfet短路特性的影响进行了对比分析,揭示了短路特性的关键影响因素,并对Si与SiC mosfet短路能力和器件恶化机理进行了对比分析,从而为设计SiC mosfet短路保护电路提供一定的指导。

摘要：建立精确的衬底电流模型是分析ＭＯＳＦＥＴ 器件及电路可靠性和进行ＭＯＳＦＥＴ 电路设计所必需的．在分析载流子输运的基础上建立了一个常规结构深亚微米ＭＯＳＦＥＴ 衬底电流的解析模型，模型公式简单．对模型进行了验证，研究了衬底掺杂浓度与栅氧化层厚度对拟合因子的影响，并分析了模型中拟合因子的物理意义．

摘要：设计制作了不同沟道长度、栅材料以及栅电极构形的各种双栅mosfet。通过实验全面研究了设计和工艺参数对器件高频特性的影响,阐明了双栅mosfet的高频设计思想,给出了全离子注入高频低噪声工艺。有效沟道长度为1μm的超高频双栅mosfet在900MHz下功率增益为17dB,有效沟道长度为1.5μm的甚高频器件在200MHz下功率增益为23dB.

摘要：器件模型作为工艺与设计之间的接口,对保证集成电路设计成功具有决定意义。本文介绍了BSIM3模型的原理,并完成了低温下(77K)BSIM3模型的参数提取。同时探讨了使用参数提取软件的具体工作步骤。

摘要：轻掺杂漏(LDD)mosfet是一种已用在VLSI中的新型mosfet结构.为了有效地进行LDD MOSFEI的优化设计,我们在二维数值模拟器MINIMOS的基础上,修改了边界条件及输入输出格式,考虑了轻掺杂区的杂质分布,研制成功了一种既适用于常规以mosfet,又适用于LDD mosfet的二维数值模拟程序FD-MINIMOS.应用该程序对LDD mosfet的一系列直流特性模拟的结果表明,不同的轻掺杂浓度对于抑制沟道电场及热电子效应具有不同的效果,为轻掺杂区优化设计提供了重要信息.

摘要：与传统Boost PFC变换器相比,无桥Boost PFC变换器减少了低频回路上二极管的数量,具有高效率和高功率密度的特点。SiC mosfet作为一种新型的功率器件,具有开关频率高、温度特性好和导通损耗小的优点。为使SiC mosfet安全可靠地工作,通过对SiC mosfet特性的分析,设计了SiC mosfet驱动电路。以此为基础,设计了一款90～265V输入、1.5kW Dual-Boost无桥PFC原理样机。实验结果证明了方案的合理性和先进性。

摘要：随着汽车技术的发展,低电压、大电流的mosfet应用逐步增多。电机、LED大灯控制器等设备中功率开关器件能耗尤为突出,随之产生的热量使功率器件晶体发热、结温升高,热设计已经成为汽车电子设计比较重要的一部分。本文设计了汽车功率mosfet功耗与PCB热阻计算的方法,并进行了理论论分析和实验验证,可以为国内汽车部件自主设计厂商提供数据的支持和方法的借鉴。