摘要：近日,应用材料公司发布了基于Applied Centura Silvia刻蚀系统的最新硅通孔刻蚀技术。新的等离子源可将硅刻蚀速率提高40%,快速形成平滑、垂直且具有高深宽比的通孔结构。这一高水平的杰出性能使Silvia系统首次将每片硅片的通孔刻蚀成本降低到10美元以下,帮助芯片制造商将先进的3D-IC设计引入市场,进而推动未来高性能移动器件的发展。

摘要：日本精工电子有限公司（SH）推出N沟道mosfet产品——S-90N系列。其低通态电阻特点，可使DC-DC调压器效率提高3%，因而可实现长寿电源的理想，使笔记薄计算机及手持电话等便携式产品之电池寿命延长。另外，小型封装SON-5令产品体积更轻巧，设计更富弹性。若配合SⅡ升压DC-DC调压器使用，效果更佳。

摘要：英飞凌的新型SPB／|／P80N06S．08芯片(平面型55V／8mΩD2PAK封装或者T0262／220封装)克服了设计者在寻找线。性应用中功率优化mosfet合适的RDC时所面对的挑战。在诸多线。性模式应用(例如：HVAC风扇、PTC热器，等等)中广泛使用功率管来减少系统成本以及消除EMI问题。

摘要：汽车电子领域新出现的动力系统，如电动助力转向系统以及集成启动器交流发动机等，揭示了传统mosfet（金属氧化物半导体场效应晶体管）在电流负载方面的局限性——设计师们被要求将电流较低的器件进行并联，或者必须采用价格昂贵的模块式“芯片和线”的解决方案。

摘要：针对高压脉冲幅度的量值传递需求,开展了脉冲幅度1~20 kV、脉宽1~100μs的高压脉冲幅度校准装置设计。校准装置以高压mosfet器件为核心,搭建多级Marx结构实现高压脉冲成型,同时通过截尾回路的设计缩短脉冲下降时间,实现矩形脉冲波形的输出。在Marx结构基础上开展装置整体设计,通过触发脉冲信号及高压直流电源电压调节脉宽与幅度,通过隔离电源及光信号保证了高压隔离强度。装置采用高准确度高压探头和数据采集卡构成校准装置的内部测试系统,其测量值作为校准装置的标准量值,经评定装置脉冲幅度不确定度为2%,并通过两台比对法进行了验证。采用其他多型高压探头对校准装置进行实验测试,结果表明与低压脉冲校准源测试相比,高压脉冲可明显有效地表征高压探头的性能及测量准确度,同时本装置也可作为高压脉冲发生器应用于脉冲功率领域其他用途。

摘要：采用mosfet作为功率器件,设计实现了针对横向磁通电机的功率驱动电路。该电路采用光耦HCPL4504和专用驱动芯片UCC27321,具有外围电路简单可靠的特点;同时,为了抑制mosfet两端出现的电压尖峰,设计了RCD缓冲电路。详细阐述了横向磁通电机驱动方案的整体结构、驱动电路设计以及关键参数的计算流程。最后,开展了900 W横向磁通电机驱动电路及缓冲电路的实验测试工作,通过试验测试验证所设计的驱动电路及缓冲电路的实用性和有效性。

摘要：改善功率VMCS器件设计的一个关键问题,是如何对耐压BV_(DSS)和导通电阻R_(on)进行合理的最佳化折衷。本文采用计算机辅助设计(CAD)的方法对各种可能的工艺和结构参数进行了大量计算,按照实际生产中的工艺条件进行筛选,得出了最佳化的设计参数。经与VN0906参照对比,证明设计是十分有效和准确的。

摘要：英飞凌科技股份公司新推出IR3883，它是一种简单易瑁的全集成型高效直流一直流调压器，主要面向需要高能效、高可靠性和良好散热管理的高密度负载点应用。该器件非常适合用于网络、电信、服务器和存储解决方案。该调压器搭载稳定性增强引擎，在简化设计的同时，只需要纯陶瓷电容就可以确保稳定性。

摘要：闭锁继电器在给线圈一个短电压脉；中时，会改变自己的状态。由于这些继电器不需要连续的线圈电流来保持状态．因此可以节省相当大的驱动电路功率。在一种闭锁继电器中，可以通过交换两个线圈的供能．改变继电器的状态。只需为一个线圈加电压设定状态．而为另一个线圈加电压重置状态。

摘要：Diodes公司推出专为IP电话（VoIP）通信开发的新型60VN沟道器件，扩展了其mosfet产品系列。新型DiodesDMN60xx系列专为处理产生正极线和负极线换行线路馈电（Tipand Ring Linefeeds）所需的高脉冲电流，以及抵挡电源开关时引起的雪崩能量而设计。该器件能够满足基于变压器的用户线路接口电路（SLIC）直流／直流转换器对基本切换功能的严格要求。