摘要：Zetex Senliconductors推出三款为有限驱动电压应用设计的N沟道增强模式mosfet。这三款新产品分别为20V的ZXMN2803E6（SOT236封装）、ZXMN2814FH和ZXMN2801F（均为S0323封装）。这些器件均具有1．8V岱条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1．2V电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。

摘要：IR3883是一种简单易用的全集成型高效直流一直流调压器，主要面向需要高能效、高可靠性和良好散热管理的高密度负载点应用。该器件非常适合用于网络、电信、服务器和存储解决方案。该调压器搭载稳定性增强引擎，在简化设计的同时，只需要纯陶瓷电容就可以确保稳定性。

摘要：Diodes公司（DiodesIncorporated）新推出的DMN3027LFG30VN通道mosfet作为开关使用，确保在现场可编程门阵列（FPGA）电源轨上使用的大型大容量电容器能够快速及安全放电。电信设备、服务器和数据中心内的最新现场可编程门阵列具有多个需要正确排序的电源轨，为系统提供安全的开关电源。高可靠性直流一直流电源的设计人员利用这个Diodes的新mosfet，就可快速及轻易实现该目标。

摘要：提出采用SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管(SiGeSOIBMHMT)构成适合在低电压下工作的新型集成电路,该电路比CMOS电路具有更大的电流驱动能力和更好的性能 对不同导电类型的SiGeSOIBMHMT、SiGeSOImosfet、SOIBMHMT和SOImosfet器件进行了工艺模拟和器件模拟,结果表明,SiGeSOIBMHMT由于应变SiGe层中空穴迁移率的提高,阈值电压降低,存在衬底栅极和横向双极晶体管。

摘要：英飞凌推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）600 V CoolMOS C6系列。有了600 V CoolMOS C6系列器件，诸如PFC（功率因数校正）级或PWM（脉宽调制）级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻（例如采用TO-220封装，电阻仅为99mΩ）在内的补偿器件的优势，同时具有更低的电容开关损耗、更简单的开关特性控制特性和更结实耐用的增强型体二极管。

摘要：安森美半导体推出新系列的6款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet），它们经过设计及优化，提供较好能效。NTMFS4Hxxx及NTTFS4Hxxx系列mosfet极适合用作服务器、网络设备及高功率密度DC-DC转换器等多种应用的开关器件，或者用于配合负载点（POL）模块中的同步整流。这些器件提供包含及不包含集成一个肖特基二极管的不同版本。

摘要：　在功率电路设计中,经常涉及电流检测的问题。结合不同电路的设计特点,介绍了三种常用电流检测方法、检测传感器的物理实现及相关电路设计的特点,并对不同检测方法的优缺点进行了比较。

摘要：为适应扩声应用领域对大功率可靠输出的轻巧包装的发展需求，PowerLight9．0PFC设计组遇到很大的挑战：要开发一种功放，它的功率至少是功率强大的PowerLight4．0PFC功放的两倍，但却不可改变它的机身尺寸和瓦／磅比率。当然，更不可降低它的音频性能。最后结果出来了，它...

摘要：提出了一种基于mosfet反型系数(Inversion Coefficient)且适合于mosfet工作在任何反型区的模拟集成电路的设计方法。对于一定工艺的深亚微米模拟集成电路,结合查表法进行的手工估算值与仿真值的误差可控制在±10%左右。该方法尤其适用于低压、低功耗设计。

摘要：2009年4月28日．美国马萨诸塞州伍斯特市的Allegro MicroSystems公司推出一种具有故障诊断和报告功能的新款全桥式mosfet预驱动器IC——A4940．扩展其现有的全桥式控制器系列。它采用超小型封装，提供灵活的输入接口、自举监控电路、宽泛的工作电压（5．5～50V）和温度（40～150℃）范围。这是一款特别针对使用大功率电感负载（如直流电刷电动机）的汽车应用而设计的小型封装器件。