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A3942:四通道mosfet控制/驱动器
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《世界电子元器件》2008年 第8期 45-45页
Allegro推出新款四通道高端mosfet控制/驱动器IC,完善其现有汽车mosfet预驱动器系列。Allegro A3942旨在通过使用电流源拓扑的门极驱动器输出,驱动高端配置中的四个N通道mosfet。A3942通过使用该拓扑,无需使用门级电阻器和自举电容...
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一种简单的太阳能路灯控制器的设计
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《电源技术》2013年 第4期37卷 674-676页
作者:公茂法 刘建平 颜静 夏文华 徐新源山东科技大学信息与电气学院山东青岛266510 
设计了一种非MCU控制的高效、稳定、简单、低成本的太阳能路灯控制器。根据18 V 20 W多晶硅电池和12 V7.2 Ah铅酸蓄电池的测试参数,以TL431和mosfet两款集成芯片为基础,设计一种具有蓄电池恒流充电、蓄电池过充过放电保护、路灯自动启...
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Allegro推出新款四通道高端mosfet控制/驱动器IC
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《电子与电脑》2008年 第7期8卷 55-55页
Allegro推出新款四通道高端mosfet控制/驱动器IC,发完善其现有汽车mosfet预驱动器系列。AllegroA3942旨在通过使用电流源拓扑的门极驱动器输出,驱动高端配置中的4个N通道mosfet。A3942通过使用该拓扑,无需使用门级电阻器和白举电容器...
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中小功率卫星配电器优化设计研究
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《电源技术》2019年 第10期43卷 1729-1731页
作者:乔明中国电子科技集团公司第十八研究所 
针对目前传统中小功率卫星的配电器,探讨研究了配电器优化设计方案,结合型号工程研制提出了采用mosfet代替传统的三极管作为主动温控开关器件、多路热控电路编组设立安全开关实现故障隔离、采用安装于机械结构上的印制板间电连接器实现...
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一种简单实用的过流检测与保护电路设计
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《电测与仪表》2003年 第10期40卷 32-33,40页
作者:廖志凌 李华 贾洪平江苏大学电气信息工程学院江苏镇江212013 双鸭山弘烨公司黑龙江双鸭山155100 
设计了一种简单实用的过流检测与保护电路,该电路具有结构简单、成本不高、保护可靠且容易实现等特点,同时具有正向过流及反向过流两种情况的检测功能。实验证明该电路可以广泛地应用于功率开关器件如mosfet的保护电路中,响应速度快,系...
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一种780~930MHz低功耗LCVCO的设计
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《微电子学》2008年 第3期38卷 407-410页
作者:谢维夫 李永明 张春 王志华清华大学微电子学研究所北京100084 
综合分析了压控振荡器设计的参数对指标、性能的影响;根据分析结果,实现了一个工作在700~900MHz的低功耗压控振荡器。该压控振荡器采用UMC0.18μm CMOS工艺实现,三位粗调电容。测试结果表明,该压控振荡器输出频率780~930MHz,VCO相位...
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基于半导体激光器高精度恒温系统设计
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《激光技术》2012年 第6期36卷 771-775页
作者:廖志烨 邓洪峰 吴凌华 张恩华 张宇西南技术物理研究所成都610041 海军驻成都地区航空军事代表室成都610041 
为了在宽温环境中保证半导体激光器能够稳定地输出功率和波长,针对半导体激光器体积小、重量轻及对温度稳定性要求高等特点,在采用负温度系数热敏电阻作为温度传感器并对其输出信号进行处理的基础上,设计了基于微控制单元的半导体激光...
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PWM高速开关阀驱动电路仿真设计
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《制造业自动化》2010年 第6期32卷 168-171页
作者:黄卫春 苏利杰华东交通大学信息工程学院南昌330013 
本文分析了高速开关阀的开关过程中不同阶段线圈电流对其开关时间的影响。在仿真分析的基础上,设计了低端mosfet管控制的高、低电压驱动电路,建立了驱动电路的PSPICE模型。仿真结果表明,该电路可减小高速开关阀的开关时间,提高其响应频率。
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Embedded Control of LCL Resonant Converter Analysis, Design, Simulation and Experimental Results
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《Engineering(科研)》2009年 第1期1卷 7-15页
作者:S. Selvaperumal C. Christober Asir RajanDepartment of EEE Mepco Schlenk Engineering College Department of EEE Pondicherry Engineering College 
The Objective of this paper is to give more insight into CCM Operation of the LCL Converter to obtain op-timum design using state-space analysis and to verify the results using PSPICE Simulation for wide variation in ...
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亚微米栅长调制掺杂场效应管(MODFET)的制造
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《Journal of Semiconductors》1989年 第3期10卷 192-197页
作者:杨玉芬 陈宗圭 张矩中国科学院半导体研究所 北京工业学院物理系 
本文简述了调制掺杂场效应管(MODFET)材料参数的设计原理,0.2μm栅长T型栅的制造工艺以及为了获得0.2μm栅长的器件所要求的电子束曝光的详细条件.虽然所用材料的缓冲层纯度不够高(~1×10^(15)cm^(-3)),但由于采用了T型结构,器件...
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