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检索条件"主题词=Mosfet"
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提供低损耗大功率的mosfet
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《电子设计技术 EDN CHINA》2011年 第8期18卷 57-57页
作者:Camilo Quintáns Graa Jorge Marcos Acevedo西班牙维戈市维戈大学 
硅功率二极管的PN结通常有大约1.2V的压降。这个压降使得功率二极管上消耗了相当的能量,从而造成电源效率的损失。对于一个有120W电源和24V标称电压的太阳能板,一个防止回流的二极管可能产生6W功率损失,或相当于受控能量的5%。此外,为...
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薄膜SOImosfet浮体效应的抑制优化研究
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《Journal of Semiconductors》1996年 第6期17卷 440-445页
作者:奚雪梅 王阳元北京大学微电子研究所 
本文根据所建浮体效应物理模型,研究了器件参数对SOIMOSFET浮体效应影响关系.研究结果表明,降低源漏掺杂浓度、减小体区少子寿命、采用优化的硅膜厚度、以及在保持器件全耗尽的情形下适当提高沟道掺杂浓度等,可以有效地抑...
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安森美推出500V和600V的高压mosfet
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《中国集成电路》2010年 第3期19卷 7-7页
安森美半导体扩充公司市场领先的功率开关产品阵容,推出包括500V和600V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)系列。这些新方案的设计适合功率因数校正和脉宽调制段等高压、节能应用的强固要求,在这些应用中,加快导...
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Allegro发布新款三相无刷直流电动机mosfet预驱动器控制器IC
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《电子与电脑》2008年 第2期8卷 54-54页
Allegro布两款全新汽车级(温度和电压为额定)三相无刷直流电动机控制器集成电路。上述两种控制IC集成了整流逻辑,减少了系统微处理器的负载,从而大大简化了系统设计,降低了系统成本。若需要,也可通过微处理器直接驱动霍尔传感器...
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Diodes推出车标双mosfet 尽可能降低功耗
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《半导体信息》2017年 第2期 13-13页
Diodes公司最新推出的40V和60V双通道、共同封装的增强型MOS—FET——DMNH4015SSDQ和DMTH6016LSDQ,具有低品质因数(FOM)导通电阻和栅极电荷规格;二者最大限度地降低了功耗,实现了高性价比、高效率、符合汽车要求的电源管理解决方案...
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一种像增强器阴极高重频选通电路的设计
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《应用光学》2022年 第6期43卷 1187-1195页
作者:宋海浩 延波 倪小兵 智强 李梦依 刘佳音 任莹楠 司可 张琳琳微光夜视技术重点实验室陕西西安710065 昆明物理研究所云南昆明650223 
就距离选通技术对阴极选通信号要求重复频率高、边沿速度快、脉冲宽度小,提出了一种利用分阶段、多级加速工作的阴极高重频选通电路。通过将RC电路与高速门电路组合构成的时间偏置电路单元相互级联产生不同时序的逻辑脉冲,分别控制中间...
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在CMOS射频集成电路设计中对稳定性的分析
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《电路与系统学报》2002年 第4期7卷 9-12页
作者:郭为 黄达诠浙江大学信息与电子工程学系浙江杭州310027 
本文详细分析了用于射频集成电路设计的MOS场效应管(mosfet)的稳定特性。利用米勒(Miller)效应和y参数两种方法对mosfet的稳定特性做了定性和定量的理论分析,并给出了理论分析和实际仿真的对比结果,从中可看出理论分析和仿真结果完全相...
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蓝宝石HD4850毒药版
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《微型计算机》2008年 第28期28卷 70-71页
蓝宝石HD4850毒药版采用思民VF900散热器,该散热器采用纯铜材质打造,散热器内含三根纯铜热导管。而且值得一提的是,该显卡在显存以及发热量较大的贴片电感、mosfet上全部配备了蓝色散热片。而在供电部分,该显卡采用了与公版Radeon H...
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一种小功率开关磁阻电动机驱动系统设计
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《微电机》2009年 第3期42卷 56-59页
作者:董亮 王艳 李彩虹北京交通大学电气工程学院北京100044 
介绍一种采用IR2110驱动Powermosfet来完成小功率开关磁阻电动机驱动系统的设计。在功率变换器中主电路选择不对称半桥结构,给出功率元件的选择方法。针对自举式IR2110集成驱动电路,详细介绍了驱动芯片的驱动原理和应用特点,同时给出了...
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集成三漏CMOS磁敏传感器
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《Journal of Semiconductors》1993年 第9期14卷 588-590页
作者:张维新 楼利民 毛赣如天津大学电子工程系天津300072 
本文介绍了一种新颖的集成三漏CMOS磁敏传感器。报道了该传感器的电路原理、版图设计及其研制结果。它具有结构简单、磁灵敏度高和使用方便等特点,且制造工艺与标准铝栅CMOS工艺完全兼容,成本低、易于批量生产,具有高的性能/价格比。
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