摘要：改进了某井下物探仪器的电源电路,采用MAX471进行电流取样,可以显著降低电流取样引起的压降,用P型大功率mosfet替代原电路中的限流管和电源电压调整管,设计成功一种新型超低压差限流稳压电路,提高了电源效率,取得了很好的实际应用效果.

摘要：讨论了基于ＭＯＳ晶体管亚阈值区特性的ＣＭＯＳ四象限模拟乘法器的设计。分析了四种乘法器核的直流传输特性，给出的ＰＳＰＩＣＥ模拟结果验证了理论分析。模拟结果表明，对于电源电压为１．５Ｖ（或±１．５Ｖ），当输入电压范围限于±０．０８Ｖ时，非线性误差小于１％；－３ｄＢ带宽约为３４０ｋＨｚ，静态功耗小于１μＷ。给出的乘法器核可应用在便携式电子系统模拟信号处理电路中，特别适于在神经网络系统中的应用。

摘要：针对源漏诱生应变Ge沟道mosfet的应用前景,开发了一种基于离子注入与准分子激光退火的GeSn合金生长技术。X射线衍射与透射电镜测试结果表明,采用该技术可得到质量优良的GeSn单晶。材料表面平整,无位错缺陷产生,与快速热退火方式相比,晶体质量有明显提高。Sn注入剂量为8×1015cm-2的样品经退火后,其替位式Sn原子含量为1.7%,可满足应变Ge沟道mosfet的设计要求。该技术附加工艺少,效率高,在实际生产中具有较大的参考价值。

摘要：为了方便电工电子学等基础电类实验室对电源的测试,设计了一种实验教学中使用的简易直流恒流电子负载。系统采用STC12C5616AD单片机作为控制部分,采用运放与mosfet构成恒流电路,通过D/A转换控制恒流电路的放电电流,利用mosfet的耗散消耗能量。单片机可设定系统的多种工作模式,利用四线测量技术减小系统误差。经测试,系统能够稳定工作在恒流模式下,负载电流从10~3 000 mA可调,分辨率为5 mA,并能够检测实际工作电压和电流,具有动态负载功能。测试结果表明,该电子负载恒流效果良好,测量误差在1%以内,满足实验室使用需求,具有很强的实用推广价值。

摘要：当前,直流电机因其速度可调等种种优点,在实际生产中得到了广泛的应用。直流电机的脉宽调制方法是直流电机调速方法中比较常见的。文章对基于单片机的直流电机PWM调速系统做了一定的研究,利用STC89S52单片机的定时器产生PWM脉冲,经过光耦的隔离之后,进行功率的放大,构成H桥驱动电路,从而驱动直流电机,方便地对直流电机转速进行调节。

摘要：TOPSwitch- 器件为三端单片开关电源,是一种将PWM和MOSF ET合二为一的新型集成芯片。与普通线性稳压电源相比其优点为体积小、重量轻,并且密度高、价格低;采用它制作高频开关电源,不仅简化了电路,同时可以改善电源的电磁兼容性能,且降低了制作成本。介绍了一个多路输出开关电源的设计。

摘要：针对电动汽车锂离子电池组,提出了一种基于耦合电感均衡方法,建立一个更为简单高效和经济的电路。对于八个串联电池单体均衡,该均衡电路选用了四个电感、八个N沟道mosfet,它们由同步触发模式中的一对互补信号控制。给出了电路的理论推导,设计了一个完整的均衡电路,并对均衡过程进行仿真和实验验证,验证了该均衡电路的有效性。由于采用了基于电感的均衡方法,该方案适用于快速均衡,与常规的基于电感均衡技术相比,该拓扑结构具有元件少、均衡快等优点。

摘要：与Si功率器件相比,SiC功率器件因其阻断电压高、开关频率高和工作温度高的性能特点,显示出广阔的应用前景。本文分析了SiC肖特基二极管和SiC mosfet的开关特性,重点研究其与Si功率器件的特性与应用差异。设计制作了基于Buck变换器的测试实验样机,分别采用Si功率器件和SiC功率器件进行测试,对测试结果进行了对比分析。实验结果验证了文中分析的开关特性差异,从而为SiC功率器件的优化选择和应用提供了一定依据。

摘要：传统的功率放大器调制驱动器采用电荷泵式结构,使电路输出的脉冲宽度受到限制,同时,外围元器件连接也较为复杂。提出了一种新型调制驱动器架构解决以上问题。采用高侧驱动p型mosfet的应用架构,从而去除了电荷泵式结构;并引入分时电控结构,减少了外围元件。基于0.5μm BCD工艺设计了一款半桥式调制驱动器芯片,测试结果表明,采用该技术的半桥驱动器芯片,在没有外接电容的情况下,驱动能力可达400 mA,负载电容1 nF时,驱动信号上升沿和下降沿均小于100 ns,能够满足大多数小体积应用需求,具有极好的应用适应性。

摘要：模拟集成电路的设计中，器件的匹配性在很大程度上决定了电路的性能与精度。在CMOS版图的匹配性设计中，必须考虑元器件本身和寄生效应等因素对匹配的影响。最基本的版图匹配原则是使器件靠近，匹配器件的周围器件相同（包括连线等），并保持器件的方向一致。通过分析影响晶体管参数的工艺及几何因素，为消除其对晶体管匹配性的影响，建议采用单位匹配原理和共质心版图设计相结合的方法来进行模拟CMOS电路的匹配性设计。