摘要：针对传统驱动电路的设计,需要采用相互独立的电源为功率开关管供电,使得硬件结构复杂,可靠性下降,为此,基于功率驱动芯片IR2136与场效应管mosfet,从信号隔离、三相逆变驱动、过流保护电路等方面,对无刷直流电机驱动电路进行设计。重点阐述了三相逆变驱动电路中的自举电路设计和功率管的驱动保护优化设计。采用TMS570控制板,对该驱动电路进行功能测试,结果表明,设计的驱动电路能够驱动电机平稳运行,且工作稳定可靠。

摘要：本文提出了一个新的深亚微米ＭＯＳＦＥＴ模型，它计入了影响深亚微米器件工作的各种二级物理效应．模型采用一个统一的公式描述所有的器件工作区，可以保证无穷阶连续．不仅适用于数字电路，而且可用于模拟电路的设计．模型计算的结果与实测器件的结果十分一致．

摘要：工作在饱和区的mosfet存在零温度系数(ZTC)特定工作点,基于这一特性设计实现了一款具有低温度系数的电压基准芯片。所设计的电路利用ZTC工作点的温度系数接近于0这一特点,辅以高阶曲率补偿电路,实现极低温度系数的输出电压。此外,针对ZTC工作点对工艺偏差的敏感性,根据蒙特卡洛仿真结果,专门设计了熔丝修调电路,以保证电路的输出结果具有较高工艺稳定性。该电路在CSMC 0.18μm CMOS工艺平台进行了流片验证,芯片面积为0.0025 mm^(2)。结果表明该芯片在室温时能够稳定输出475.5 mV电压,在-40~125℃内,温度系数达到1.8×10^(-6)/℃,在10 kHz时电源抑制比达到-68.7 dB。

摘要：This paper presents a different approach of Intermediate Frequency (IF) amplifier using 0.18 μm MIETEC technology channel length of mosfet Darlington transistors. In contrast to Bipolar conventional Darlingtonpair, a mosfet Darlington configuration is employed to reduce supply voltage (VDD) and DC consumption power (Pc). The frequency response parameters of the proposed design such as bandwidth, gain bandwidth product, input/output noises and noise figure (NF) are improved in proposed (IF) amplifier. Moreover, a dual-input and dual-output (DIDO) IF amplifier constructed from two symmetrical single input and single output (SISO) (IF) amplifier is proposed too. The idea is to achieve improved bandwidth, and flat response, because these parameters are very important in high frequency applications. Simulation results that obtained by P-SPICE program are 1.2 GHz Bandwidth (BW), 3.4 GHz (gain bandwidth product), 0.5 mW DC consumption power (Pc) and the low total output noise is 12 nV with 1.2 V single supply voltage.

摘要：本文分析了功率mosfet对驱动电路的要求,对电路中的正弦波发生电路,信号放大电路和两路隔离输出变压器进行了设计。仿真和试验结果证明了所设计驱动电路的可行性。

摘要：国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出三款新型25V DirectFET mosfet，包括IRF6622控制mosfet、IRF6628和IRF6629同步mosfet，主要应用于服务器和电信系统中的嵌入式CPU电源、VRM模块，以及嵌入式DC-DC转换器。IRF6622控制mosfet的栅极电荷很低（Qg=12nC），有助减少开关损耗。经过优化的IRF6628和IRF6629同步mosfet，不但传导损耗低，导通电阻RDS（on）也很低，分别只有1．9mOhms和1．6mOhms。IRF6622采用小罐式DirectFET封装及SQ占板面积；而IRF6628和IRF6629则采用中罐式DirectFET封装及MX占板面积。新型25V DirectFET是专为每相位20A到30A的器件设计的。

摘要：在短沟道ＭＯＳＦＥＴ器件物理的基础上，导出了其衬底电流解析模型，并通过实验进行了模型参数提取。模型输出与短沟ＭＯＳＦＥＴ实测结果比较接近，可应用于ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ可靠性模拟与监测研究和亚微米ＣＭＯＳ电路设计。

摘要：基于三维集成技术的功率mosfet器件,在发热量大和散热难的双重压力下,热可靠性设计凸显得尤为重要。文中采用硅通孔散热方式,在三维功率器件内嵌入大量的散热硅通孔,以降低芯片内热阻,疏导功率器件产生的热量,保证器件有源区结温低于极限安全结温,可有效提高芯片的热可靠性。以100V,60A的功率VDMOS器件为研究对象,以提高芯片的热可靠性为目的,合理设计和充分优化了三维功率mosfet器件的版图和散热硅通孔的布局。基于多物理场分析软件开展了大量的热可靠性仿真分析工作,并流片验证了设计的正确性。

摘要：借助半导体专业模拟软件Tsuprem-4和Medici,模拟得到一组最佳的30V沟槽MOS-FET结构和工艺参数;给出了特性模拟曲线。在此基础上,详细讨论了沟槽的宽度和深度变化对沟槽mosfet的阈值电压、击穿电压、漏电流及导通电阻等特性的影响。最后,根据模拟得到的最佳参数进行了流片实验。结果表明,所设计器件的击穿电压大于35V,Vgs为10V下的导通电阻为21mΩ·mm2。

摘要：利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型，编制了流体动力学半导体器件模拟程序，并对栅长25nm的体硅mosfet和栅长30nm的FinFET结构进行了模拟。模拟结果表明，改进后的流体动力学模型在工程应用中能够适应模拟纳米级mosfet的要求，用于纳米级mosfet的特性研究和优化设计。