摘要：随着开关频率的提高,寄生电感对碳化硅(SiC)mosfet的影响越来越明显,所引起的器件串扰和器件应力,严重制约了SiC mosfet器件在高频下的应用。在实际设计驱动电路中,为了抑制器件的串扰,栅极低电压多选在-5～0V之间的数值,然而却忽略了栅极低电压对器件应力的影响。在此本文通过理论和仿真分析,研究了寄生电感存在时,不同栅极低电压下的过冲电压和关断瞬间的功耗,从而在设计SiC mosfet驱动电路时,指导栅极低电压的选取。

摘要：带有同步600mA降压转换器的电池充电器；用于便携产品的600mA DC／DC降压转换器；针对临界电压的电压监控器；满足前置偏压需求的高压mosfet；4通道I^2C与SMBus多路复用器及开关.

摘要：本文引用了附加有浮动电位保护环和场板的ＶＤＭＯＳ结构击穿电压的解析表达式，描述了浮动电位保护环和场板效应对穿通击穿电压的改进，经比较理论结果与测量数据有较好的一致性。

摘要：国际整流器公司（IR）推出用于电流高达14A的消费类嵌入式POL应用的IR380x系列。新产品的功能设置和体积均进行了优化，适用于高性能消费类应用，包括游戏机、台式电脑、图形卡、机顶盒及LCD电视等。这些新器件将高性能控制IC和优化的基准HEXFET mosfet集成在只有5mm×6mm的封装中，

摘要：包装改良换来了性能的提升由电源管理电路控制的电能与包装性能直接挂钩。工艺和半导体技术的进步变得十分重要,但是缺少不了合适的包装。最适宜的设备包装通常会引起终端产品内部较高的温度,这样就需要考虑散热问题,例如增加散热风扇。

摘要：根据高频下ＭＯＳＦＥＴ源极跟随器极间寄生电容引起的一些特殊效应［１］推断出源极跟随器的一些实际应用设计意见，并对实用电路进行分析。实验证明，本文介绍的ＭＯＳＦＥＴ源极跟随器具有极高输入电阻、宽带、电路增益高、有良好温度特性、调试方便的特点。是一种新颖的、有一定特色、一定实用价值的跟随器。

摘要：最近,碳化硅(SiC)及其在电力电子领域的潜在应用受到了广泛关注,但同时也引发了一些误解。本文旨在澄清这些误解,让工程师们在未来放心地使用SiC器件。应用围绕SiC产生的一些疑虑与其应用范围相关。例如,一些设计人员认为SiC mosfet应该用来替代IGBT,而硅mosfet的替代品应该是氮化镓(GaN)器件。

摘要：本天线可以复盖长波、中波和短波波段,最高接收频率达50MHz,具有体积小、效率高、噪声低、抗干扰能力强等特点,适合无线电爱好者用于接收远距离广播或通讯信号。 大家知道,设计制作一个体积小、性能高的宽带天线并非易事。

摘要：同步降压电路被广泛应用,为CPU、芯片组、外设等提供针对'工作点'的高电流、低电压供电.在同步降压转换器中,功率电路中具有为电感充电的'高边'(图1中的Q1)mosfet,以及为电感电流提供低损耗续流通道的'低边'mosfet,替代常规降压调节器的续流二极管.

摘要：在如今的汽车中,为了提高舒适度和行车体验而设计了座椅加热、空调、导航、信息娱乐、行车安全等系统,从这些系统很容易理解在车中为各种功能供电的电子系统的好处。现在我们很难想像仅仅100多年以前的景象,那时,在汽油动力汽车中,一个电子组件都没有。在世纪交替时期的汽车开始有了手摇曲柄,前灯开始用乙炔气照明,也可以用铃声向行人发出提示信息了。