摘要：安森美半导体发布To-Leadless(TOLL)封装的碳化硅(SiC)mosfet。该晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关器件迅速增长的需求。直到最近,SiC器件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7引脚封装。TOLL封装的尺寸仅为9.90 mm×11.68 mm,比D2PAK封装的PCB面积节省30%,而且,它的外形只有2.30 mm,比D2PAK封装的体积小60%。

摘要：德州仪器（TI）日前推出一款可在25A电流下实现超过90％高效率的同步mosfet半桥CSD86350Q5D，其占位面积仅为同类竞争功率mosfet器件的50％。该功率模块通过高级封装将2个非对称NexFET功率mosfet进行整合，可为服务器、台式机与笔记本电脑、基站、交换机、路由器以及高电流负载点（POL）转换器等低电压同步降压半桥应用实现高性能。

摘要：利用推挽mosfet晶体管，通过采用传输线变压器宽带匹配技术，研制出一种宽频带125W功率放大器模块。文中给出了测试结果，模块的性能指标良好。

摘要：深亚微米mosfet须应用玻耳兹曼传输模型。本文建立了一个基于物理假定的解析解模型,其特点是可以加入经典模型BSIM3v3,并通过模拟程序CMOSIS进行了模拟验证。

摘要：由于内部断路器延迟和有限的mosfet栅极下拉电流,大部分热插拔控制器在发生输出短路故障的最初10ms到50ms之间没有限流控制.这可能造成上百安培的瞬态电流.利用一个简单的外部电路可以解决这个问题,它将初始短路尖峰电流降至最小,并在200ns到500ns以内消除短路故障(断开电源和短路负载).

摘要：宽禁带材料实现了较当前硅基技术的飞跃。它们的大带隙导致较高的介电击穿,从而降低了导通电阻(RSP)。更高的电子饱和速度支持高频设计和工作,降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。安森美半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统,包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)二极管、SiC mosfet到SiC mosfet的高端IC门极驱动器。除了硬件以外,我们还提供spice物理模型.

摘要：开关电源中的功率开关晶体管是影响电源可靠性的关键器件。主电路中用的功率管主要有双极型晶体管和mosfet两种。本文就双极型晶体管和mosfet的各自特点作了分析,结合示例说明在实际电路设计中的选择方法。

摘要：汽车功率mosfets正在加速对汽车电子功率器件进步的影响在过去的15到20年中,汽车功率mosfets(金属-氧化物半导体场效应晶体管)已经从一个普通的话题发展成为一项蓬勃发展的商务。功率mosfets之所以能脱颖而出,完全是基于其承受车辆电动系统中出现的甩负荷(load dump)和场衰变等高压瞬变的能力。其封装简单明了。

摘要：现实中工程师设计降压转换器时经常忽视"击穿"的问题,文章结合实际经验分析总结,对"击穿"现象提出了几点改造意见,经过实践效果很好,总结在此予以交流共享。

摘要：凌力尔特3通道LED镇流器为24个LED提供3000：1的调光能力；瑞萨可实现间插操作的临界导通模式PFC控制芯片；IP高效率150V DirectFET mosfet实现散热效果更佳、体积更小巧的DC-DC转换器应用；飞兆半导体带有独立方向控制的双电源双向电平转换器；研诺高频400mA降压转换器为便携式应用提供尺寸最小的解决方案；完整的电池备份管理芯片；安森最小封装的ESD保护二级管阵列。