摘要：SC417使用固定导通时间的控制技术,去除了误差放大器,简化了buck电路的设计.固定导通时间的控制技术因为能更快更直接的反映输出电压的变化情况,有着比传统的电压控制和电流控制更快的负载动态响应。SC417更是把10A的主开关和同步整流的2个mosfet和控制电路一起集成到了5mm×5mm的芯片里面。实现10A的输出的所有原件总共只需要占用33mm×17mm的单面PCB空间。

摘要：三相控制整流器和变换器、矩阵循环换流器以及级联功率级一般都含有大量功率晶体管．每支晶体管都有自己的驱动电路。图1中的电路用1kHz～200kHz频率的全占空比脉冲驱动一个容性输入功率器件．如mosfet或JGBT（绝缘栅双极晶体管）。一只变压器起隔直作用．电路在15V初级电源电压下只消耗少量功率。采用具有输入电容高达5nF的几只mosfet和IGBT．测试满意．该驱动器通过调整驱动器晶体管、耦合变压器以及一些无源元件．可以适应更大电流的功率晶体管。

摘要：介绍了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ 二维数值模拟器的设计过程。耦合和非耦合相结合的迭代方法提高了收敛稳定性和计算效率。考虑了两种载流子的连续性方程及产生复合作用，精度较高。给出了利用该设计方法获得的ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ二维体电势分布以及载流子浓度分布的三维输出图形。

摘要：宽禁带半导体材料由于其具有更大的击穿电场而成为下一代电力电子器件的焦点,其中以Si C材料和器件的发展尤为突出。本文从开关损耗的角度对四种Si C电力电子器件——JBS(结型势垒肖特基二极管)、JFET(结型场效应晶体管)、BJT(双极型晶体管)和mosfet(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)的发展及其应用作了概述。

摘要：本文采用数值模拟方法，在考虑短沟效应、开态电流、关态电流和开路电压增益等因素的基础上，首次给出ＧＣＨＴ低压工作下（０．８Ｖ）的设计容区图，清晰地反映了各效应对参数要求的矛盾折中，为器件设计提供了理论依据，也为合理开发深亚微米工艺指明了方向．

摘要：故障电弧断路器(AFCI)在国内正处于起步阶段,其研发、生产过程需要进行大量实验,特别是串联型故障电弧实验。该文设计的故障电弧电信号发生器通过电力电子器件取代实际电极装置,模拟产生串联故障电弧试验所需的实际电流信号,提高了实验效率和可重复性。在故障电弧发生过程中,电力电子器件始终处于开启状态,通过栅极电压调控其导通程度从而实现对电流的调控,避免了工作于开关状态导致的谐波。仿真和实物实验表明:所研制的故障电弧电信号发生器能够满足AFCI开发及检测对串联故障电弧电信号的需求。

摘要：为了使中型大展弦比折叠翼无人机机翼稳定、可靠、可控展开,该文采用主控、从控架构方法,提出了一种可拓展展开机构控制器详细设计方法。通过折叠翼无人机飞行展开试验验证,证明该控制器产品配合展开机构电机及作动器能够稳定、可靠、可控的将折叠翼无人机在空中展开。该方法较扭簧或弹簧式展开机构更适用于中、大型高价值折叠翼无人机。

摘要：本栏目将不定期地向读者报道国内外优秀、新型的元器件产品信息。除特殊说明外,本栏目中的美元价格均为美国本土价。产品特 性型号 . 价格 联系方法砷化镓场效应晶体管(GaAsFET)光耦合金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)功率mosfet射频双极晶体管一种3W MESFET(金属半导体场效应晶体管)和一种HJFET(异质结场效应晶体管)供L频带和S频带应用,在设计上适于Class—AB工作;在1.9GHz分别提供lOdB和14dB增益;3.8 x *** SMT封装.单极常开光耦合mosfet以350V峰值和120mA的负载工作;在120mA提供25 Q导通电阻、3750Vrms(均方根值)隔离,并与TTL/CMOS兼容;6脚DIP封装。n沟道和P沟道mosfet的最高结温为175℃;提供60V额定击穿电压并在4.5V门驱动电压下提供90m Q(n沟道)或280m Q(P沟道)导通电阻;TO-252封装。RF硅双极晶体管以4.2mm。SOT-323封装供应;AT32032型工作在I-5V之间,电流低达lmA;AT4l 532型是个低噪声器件,其特点是工作在2.7V、5V或8V。NE6500379AM...

摘要：自举式半桥驱动器芯片IR2110应用成功的关键是合理配置自举电路参数,并对IR2110的应用特点有充分的了解。详细介绍了IR2110自举电路的工作原理和应用特点,自举电容等参数的估算方法、以及IR2110的相关保护电路。基于TMS320LF2407A的他励直流电机调速系统实验表明:应用IR2110组成H桥可逆PWM驱动电路,成功实现了他励直流电机软启动与减速制动,具有隔离接口简单、运行稳定可靠等显著特点。还讨论了IR2110自举电路的不足,对采用IR2210的直流电机功率驱动电路设计有很好的参考价值。

摘要：耕昇HD4850赵云版显卡采用大型铝制双槽散热器，散热器核心部分则采用纯铜散热块与核心接触，同时两根纯铜热导管从杨心散热块引出至密集的散热鳍片上，保证核心温度能得到迅速降低，散热器风扇还可根据核心温度调整风扇转速。供电设计上，该显卡由公版的2＋1分离式设计改为3＋1分离式设计核心供电mosfet数量由公版的8个提高到12个理论上能降低供电部分的发热量，