摘要：文中介绍了驱动电流、驱动功耗的计算方法;分析了mosfet开关过程中电流电压的变化规律;最后对常用的驱动电路解决方案及其优缺点、设计中需要注意的问题等进行了分析总结。根据mosfet门级驱动电路的特点及设计过程中需要考虑的影响因素,为可靠、高性能的mosfet应用设计提供参考。

摘要：目前在桥式电路中上桥臂的驱动电路常采用自举驱动,由于各桥臂使用的是同一组电源因此相互之间存在着干扰,当参数选取不够合理时还会出现较高的电压尖峰损坏驱动芯片和开关管,在对驱动电路要求严格的场合通常需要为每个桥臂提供独立电源。目前市场上隔离DC/DC的产品较多,但专门为隔离驱动而设计的隔离DC/DC产品还比较少。通过对功率mosfet和IGBT开通特性和关断特性的研究,得出了功率mosfet和IGBT对驱动电路的要求。设计了一种带隔离DC/DC,适用于功率mosfet和IGBT隔离驱动电路。并通过实验测试了该驱动电路的性能。

摘要：SiC材料具有较大的禁带宽度、高临界电场、高载流子饱和漂移速度和高热导率等优良特性,能广泛应用在高温、高压、大功率等领域。为探究温度对4H-SiC mosfet静态特性的影响规律,以指导高温高压环境下4H-SiC mosfet的设计与制造,文章基于Silvaco平台对高压4H-SiC mosfet器件进行了仿真建模,获得了其不同温度下的击穿电压、转移特性和输出特性,探究了温度对其击穿电压、阈值电压、饱和漏电流、导通电阻的影响规律。文章最终得到了300 K时击穿电压为4450 V的SiC mosfet器件元胞结构模型,验证了其静态特性及参数受温度影响较明显,该影响规律符合SiC mosfet的静态特性理论。

摘要：针对传统氢闸流管老式脉冲发生器体积大、精度低、效率低、故障率高等缺点,设计了一种以mosfet为主开关的海航脉冲发生器。从海航脉冲发生器的主电路设计、控制中心、mosfet驱动电路设计、关键技术等方面进行了研究。结果表明,该脉冲发生器体积较小,可靠性、精度较高。

摘要：介绍了MOS管的电路模型、开关过程、输入输出电容、等效电容、电荷存储,及其对MOS管驱动波形的影响和驱动波形的优化设计实例。

摘要：提出了一种适合PDP扫描驱动芯片的高压P沟道ED-LDMOS器件结构,源漏击穿电压及栅耐压均达到220V以上.通过添加P型扩展阱,能够有效降低P+漏极边缘电场60%,减轻漏极电流汇聚效应,抑制寄生双极型晶体管开启,从而原器件开启态耐压(180V)提高了40V;同时设计了能与0.6μm标准低压CMOS工艺完全兼容的制备工艺,特别提出一种厚栅氧与多晶栅的刻蚀方法——余量刻蚀法,有效防止由于光刻误差引起的栅源短路击穿.

摘要：概述电源设计人员通过正确匹配mosfet在驱动时的门极驱动电压,有时能够获得额外的效率提高.采用较高的电压驱动mosfet门极将导致较低的关联导通电阻Rds(ON),直到低至某一特定值.在众多高电流隔离式电源应用中我们可以发现,这对低电压高电流VRM设计以及控制驱动的同步整流器而言是十分有益的.在同步降压电源应用中,降低mosfet导通电阻对同步整流器而言十分关键,因为多数情况下,快速恢复式整流电流通过mosfet通道电阻所造成的功率损耗是总功耗中最大的一部分.然而,其他一些因素也不容忽视.

摘要：为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题,通过对mosfet栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖,定位了mosfet开关损耗的来源,进而为缓启动电路设计优化,减少mosfet的开关损耗提供了技术依据。

摘要：介绍mosfet器件在脉冲工作状态下平均功耗的工程计算方法,为功率器件二次集成提供了一种实用的设计方法。

摘要：开关电源设计人员可利用具备低导通电阻和快速开关速度的高级功率mosfet器件设计出效率更高的开关电源.为了实现这一点,设计人员可能需要选择优化的电路拓扑和器件.