摘要：由于仪器所用电源的体积和重量通常受到限制，为此提出一种由mosfet控制，并且由高频变压器隔离的开关电源设计方法。该电源具有体积小、重量轻、抗干扰性能强，输出电压稳定。调压范围广，电压动态响应快，性价比高，使用方便等特点。

摘要：现代的家用音响系统已对设计者提出了更高的要求:不要再设计那种只能愚弄耳朵的音响,而应该设计出能感动人心灵的系统,从而让人们能够直接体验到伟大作品深遂的美。 目前,我国的音响设计者已在向这方面努力。不过,我们也发现,有很多Hi-END音箱,在用国产放大器去推时,声音表现平平。

摘要：10 三种单片连续时间滤波器设计实例10.1 话音频率五阶椭圆滤波器利用上文详述的各项技术,以3.5μmCMOS工艺制成带有在片自动调谐的MOS-FET一C有源滤波器.滤波器电路结构示于图Ⅱ(输入非平衡转平衡结构电路省略未绘出).未启动自动调谐时曾发现3—dB频率在温差85℃范围内变化超过10%.接入在片调谐后,频响示于图12.在同样温差范围内,此频响稳定性高于0.1%.图13是影响通带部分的放大图形.以±5V电源工作时失真达0.1%的差动峰—峰值为5V,信号增大到峰—峰值15V时.失真为1%.测得的动态范围为100dB.自动调谐采用上文图1(c)方案.

摘要：介绍了SiC mosfet器件应用所具有的技术优势,并从理想耐压与导通电阻理论入手,确定了漂移层耐压结构的优化设计;综合考量阈值电压、氧化层电场集中和导通电阻特性,确定了芯片元胞各关键区域的优化设计;最后,从导通电阻优化、更高电压等级芯片研制和单片集成续流二极管3方面,阐述了SiC mosfet芯片未来的技术发展趋势。

摘要：在分析了功率mosfet其结构特性的基础上,讨论驱动电路的设计,从而优化mosfet的驱动性能,提高设计的可靠性。

摘要：简单介绍了Trench mosfet的基本结构和工作原理.以漏源耐压75伏器件为例,详细的讨论该类器件的设计方法.依据一定的器件电参数指标,给出了相应的一套完整的结构设计数据.从外延片的选择到各类纵向和横向结构参数的确定都给出了具体的计算方法和最终结果.

摘要：对于电源供应设计人员而言,选择正确的mosfet相当困难,mosfet有数千种,而计算切换mosfet的电源耗损等式再计算上相当费时。是否有更快速有效的方法可用于测试或更深入的分析？能够快速找出适用mosfet，让设计人员仅需试用特定几项装置或运用延伸的模型。本文介绍的J／K比率方法，可将复杂的电源转换器的功率级简化为单纯的切换和传导损耗比率，使得设计人员能够针对特定应用，选择可达到最高效率的mosfet。

摘要：目前，电源工程师面临的一个主要难题是，随着商用电子产品的功能日益增多，其尺寸不断缩小，留给电源电路的空间越来越少。解决该难题的办法之一就是充分利用mosfet技术和封装的进步。

摘要：以mosfet作为主要功率开关管,应用于200 V输入的全桥逆变电路中,分析了电路的工作特点及mosfet驱动电路的设计要求,以及针对开通关断过程所需的电气特性,设计了一种采用光耦隔离、IR2113控制的mosfet高速驱动电路.实验结果证明了设计的可行性,测试数据和波形该mosfet驱动电路具有电气隔离性能优良、驱动能力和抗干扰能力强等特点,目前该电路已成功应用在一台逆变器实验样机中,运行稳定.电路设计对IGBT等其他电压控制型功率开关器件的驱动也有一定的借鉴意义.

摘要：通过对mosfet转换过程的分析 ,得出高速转换过程对驱动电路的要求。通过对转换过程中功率损耗的计算和驱动电流计算的注意事项 ,得出了在设计高速驱动mosfet电路过程中的要点。