摘要：基于有效质量理论，从导带子带间光跃迁矩阵元的表达式出发，推出ｎ型半导体量子阱红外探测器的正入射吸收条件．用一些简单的数学手段，把正入射的吸收系数表达力量子阱生长方向的解析函数，进而讨论正入射吸收的优化、极限及与平行吸收的比较．在考虑了椭球等能面的简并度和占有度后，在掺杂浓度为１０（１８）ｃｍ（－３）和探测波长１０μｍ时，对４种具体的量子阶材料进行了计算．推荐了为获取最大正入射吸收的优化量子阱生长方向，为正入射量子阱探测器的设计提供依据．

摘要：在实际应用方面，同ZnO相比，透明非晶氧化物半导体（TAOS：transparent amorph ousoxide semiconductors）很可能较早地用于显示屏的驱动TFT等。在候选的透明非晶体氧化物半导体材料中，a-IGZO位列第一。但a-IGZO是n型半导体，具备足够性能的P型材料目前还没有被发现。

摘要：一、半导体二极管（一）问答题1、何谓半导体？常用的半导体材料有哪些？它们有何特点？2、何谓本征半导体？它有什么特色？3、何谓n型半导体？n型半导体中的多数载流子（多子）是什么？少数载流子（少子）是什么？4、何谓P型半导体？P型半导体中的多数载流子（多子）是什么？少数载流子（少子）是什么？5、n型或P型半导体中的多数载流子与少数载流子的数量与什么因素有关？6、何谓Pn结？它有何特性？

摘要：气体传感器能够有效检测浓度低于人类嗅觉极限的有毒有害及易燃易爆等气体,在军事国防、环境安全、医疗诊断等领域具有重大的研究意义。其中电阻式气体传感器因其成本低廉,普遍适用于民用气体检测而受到广泛应用。气敏材料是气体传感器的核心,设计合成合适的气敏材料对发展高性能气体传感器至关重要。本文在简单介绍气体传感器、电阻式气体传感器以及电阻式气体传感器常用的几种传感材料的基础上,聚焦于n型半导体SnS_(2)气敏材料,归纳了该材料的结构与性质,重点阐述了提升SnS_(2)气敏材料传感性能的方法,包括空位工程、热激活工程、光激活工程和异质结工程,并对SnS_(2)气敏材料的研究趋势进行了展望。

摘要：到目前为止，性能不断迅速提高的透明氧化物半导体全部都是n型半导体（由电子导电）。而对P型半导体（由空穴导电）来说，尽管许多工程师在很久以前就进行了开发，但取得的成果却没有n型半导体那么多。特别是基于ZnO的P型半导体在实际应用方面的成果，很长时间都没有出现。日本东北大学金属材料研究所教授川崎雅司的研究小组在2004年制成了P型ZnO半导体，

摘要：介绍了P-n结的基本知识。

摘要：1物理教学需要先进的教具 半导体器件是近代电子学的重要组成部分。半导体、二极管这节课,涉及到物质的微观世界,原子的内部。提出了许多新概念,如空穴、P型和n型半导体、Pn结的特性、空穴导电、光敏及热敏特性等。对于微观世界这些看不见,摸不着的东西,在过去的教学中,教师只能借助于图片讲解,在二维空间的基础上,引导学生想象出三维空间硅原子的结构,电子围绕自身原子核不断地运动,进一步形成空穴导电等概念。这种常规的教学手段和方法。