摘要：自主设计和制备了一种耐压超过20 kV的超高压碳化硅(SiC)n沟道绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,igbt)器件。通过仿真设计优化了器件结构,同时结合自支撑衬底剥离技术、背面激光退火技术以及载流子寿命提升技术,成功在n型SiC衬底上制备了SiC n沟道igbt器件。测试结果表明,该器件阻断电压为20.08 kV时,漏电流为50μA。当栅电极施加20 V电压,集电极电流为20 A时,器件的导通电压为6.0 V,此时器件的微分比导通电阻为27 mΩ·m^(2)。该值仅为15 kV SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)比导通电阻的1/7,充分显示出SiC n沟道igbt器件作为双极型器件在高阻断电压、高导通电流密度等方面的突出优势。