摘要：针对无片外电容LDO瞬态响应问题,提出了一种基于Miller BICMOS OTA结构的N型功率管LDO。BJT Push-Pull作为电路的中间级,具有低功耗、高增益、高摆率的特点。输出扰动通过电容耦合至中间级,形成了一条快速反馈环路,拓展了反馈环路带宽,提高了负载瞬态响应速度。因为输出级为源随器,系统整体为两级运放结构,仅需通过密勒电容进行补偿,就可以获得良好的稳定性。电路基于Hynix 180 nm BCD工艺设计,仿真结果显示,系统静态电流约为10μA,增益约为102 dB,带宽约为800 kHz,相位裕度约为61°,其中反馈环路带宽约为30 MHz。当输入电压为5 V,不接片外电容,负载电容为5 pF,输出电流从20 mA切换到200μA用时300 ps时,系统响应时间约为420 ps,过冲电压约为253 mV。

摘要：设计了基于nmos的双向电平转换电路,详细阐述了信号转换过程中具体的电路行为,同时说明了电路应用过程中的注意事项和限制。

摘要：针对便携式设备快速瞬态响应、低噪声、高电源抑制比等应用需求,提出了一种无片外电容nmos型低压差线性稳压器(LDO)。该LDO基于浮栅结构,通过具有推挽输出级的放大器辅助控制,减小了电荷泵的噪声耦合;另外,通过取样输出电流控制误差放大器的输出动态范围,极大地提高了电路的瞬态响应能力。电路基于HHGrace 0.35μm BCD工艺设计,仿真结果表明,无外接电容时,负载电流在1μA~400 mA之间跳变,电路的下冲电压为203 mV,过冲电压为101 mV,响应时间小于1.5μs;在10 Hz~100 kHz的频段内,系统输出积分噪声电压为14μV·Hz^(-1/2)。LDO达到了快速瞬态响应和低噪声的需求。

摘要：4.1 非门非门即反相器,是逻辑系统中最基本的单元。逻辑单元电路结构设计主要考虑的是小时延,小面积,低功耗。而这三个因素又是相互制约的,设计时应根据实际情况,综合考虑,折衷选择。对非门的设计,从时延上看。

摘要：本文模拟了0.25μm SOI nmos的总剂量效应,I-V特性曲线随总剂量变化趋势与实测曲线一致。在此基础上探讨了器件在不同掺杂浓度、硅膜厚度、埋氧层厚度以及栅氧层厚度等工艺条件下的总剂量效应,分析了一定剂量条件下各项工艺引起器件性能变化的原因。结果表明,源漏高掺杂、薄硅膜、适当厚度的埋氧层和较薄的栅氧层均有利于提高SOI nmos的抗总剂量效应的能力。这为器件提高抗总剂量效应设计和加固提供了一定的理论依据。

摘要：7.1 参数分析在第一讲已经谈到,超大规模集成电路可以是系统集成,即一个具有独立功能的完整的电路系统被设计、制造在一块芯片上,故又称作集成系统。平均门延迟功耗积Kg=(?)gPg 是表征集成系统性能的综合性指标。

摘要：本文指出了布尔代数在指导数字电路设计中的不足,并在区分描写开关状态与信号的二类变量的基础上建立了能反映数字电路内开关元件与信号相互作用过程的开关信号理论。本文把该理论具体用于对nmos数字电路的研究,结果表明该理论可很好地指导nmos数字电路在元件级的逻辑设计。

摘要：通过器件级仿真来评估ESD保护器件的鲁棒性的方法,对ESD电路的关键设计参数进行了研究.通过器件仿真软件MEDICI对栅极到源极接触孔的距离,栅极到漏极接触孔的距离以及栅极的宽度和长度对ESD性能的影响进行了研究,并分析了它们的失效机理.从而得出经验公式,可以在流片前估算出器件的ESD失效电压.通过在设计阶段预测器件的ESD性能可以缩短设计周期,节约成本.

摘要： 3.1 nmos VLSI拓扑结构nmos集成电路是多层布线的三维立体结构,整个电路完全由各层特定宽度的线条构成。一条扩散层线条与一条多晶层线条相交叉,即形成一MOS 管。故电路中的连接线占芯片结构的绝大部分面积。因此VLSI芯片设计中,多层布线的技术对简化结构,缩小面积、提高集成度就十分重要;而它所含元器件——MOS管的数量多少,相对来说就显得不很重要了。

摘要：自世界上第一块集成电路问世以来,微电子学技术便以迅猛异常的速度向前发展。小规模中规模到大规模集成电路的发展不到10年,而大规模到超大规模集成电路的发展也不到10年,现在已发展到巨型规模集成电路。目前集成电路技术的发展已日臻完善,集成电路芯片的应用也渗透到国民经济各个部门和科学技术各个领域之中,因而对当代经济发展和科技进步产生了不可估计的作用,特别是对计算机科学的发展起到了更加重要的作用。集成电路技术发展的一个显著特点是集成度不断提高,因而给电子系统带来了功能多、可靠性高、速度快、功耗低、寿命长和成本低等诸多优点。这样就极大地推进了整个电子技术的革新和普及,并使它渗透到国民经济各个部门和科学技术各个领域以及家用电器和日常生活的各个方面。随着集成电路技术的飞跃发展,集成电路系统的芯片设计技术已成为现代电子线路系统工程师和广大科技人员必备的基本功。为了推广集成电路技术和满足广大读者的需要,简明扼要地介绍超大规模集成电路的概貌、芯片中的基本电路形式和设计方法、适当给出超大规模集成电路的基本单元和系统设计的全过程已摆在本刊面前,为此我们组织并开辟这个专题讲座。本讲座共分十讲。第一讲微电子技术概况;第二讲nmos 集成电路基础;第三讲nmos 超大规模集成电路的结构特性;第四讲nmos 超大规模集成电路的基本单元电路;第五讲CMOS 集成电路基本单元电路;第六讲CMOS 集成电路的主要设计问题;第七讲VLSI 芯片设计技术;第八讲VLSI 计算机辅助设计;第九讲nmos 芯片设计实例“零中频QPSK”解调器”;第十讲超高速砷化镓集成电路综述。本讲座第一～第四讲和第七～第十讲由中科院遥感卫星地面站刘以暠付研究员撰写,第五、六讲由清华大学微电子所总工程师张建人教授撰写。由于时间仓促,有部分稿件内容早已成形,所以讲座内容可能不够全面或有些缺陷,这只能在今后有机会时以单篇形式给予介绍,以弥补其不足。欢迎广大读者对本讲座提供宝贵意见。