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衬底温度对nife2o4薄膜生长和磁学性能的影响: 收藏
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引用; 《产业与科技论坛》2020年第14期19卷 63-64页; 作者：孙德烨庄澔淼姬雪蕾王晶刘伟达王丽丽长春大学理学院核工业工程研究设计有限公司; 采用直流磁控溅射方法,保持Ar气流量不变,控制o2气在Ar气与o2气混合气体在Ar/o2=30sccm/90sccm的情况下,采用STo(100)单晶基片制备了FNo薄膜。利用XRD和VSM等测试手段,对STo(100)单晶基片生长的不同基片温度FNo薄膜的结构及磁学性能进...; 采用直流磁控溅射方法,保持Ar气流量不变,控制o2气在Ar气与o2气混合气体在Ar/o2=30sccm/90sccm的情况下,采用STo(100)单晶基片制备了FNo薄膜。利用XRD和VSM等测试手段,对STo(100)单晶基片生长的不同基片温度FNo薄膜的结构及磁学性能进行表征。测试结果表明,在STo(100)单晶基片上不同基片温度得到了nife2o4薄膜,随着基片的温度增大,样品的矫顽力Hc先增大后减小,基片温度为650摄氏度时,矫顽力最大,Hc=1244.7 oe。; 来源：详细信息评论

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