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用于GPS接收机的130 nm pd-soi低噪声放大器: 收藏
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引用; 《微电子学》2019年第5期49卷 609-612,617页; 作者：王志鹏孙浩刘艳艳关鸿周曙光朱红卫南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300350 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司上海201203; 基于130nm pd-soi工艺,设计了一种用于GPS接收机射频前端的单片低噪声放大器(LNA)。利用soi工艺特有的低噪声特性,降低了衬底耦合到电路的噪声。采用单独的带隙基准源和LDO为低噪声放大器供电,降低了电源纹波和高频噪声对放大器噪声性...; 基于130nm pd-soi工艺,设计了一种用于GPS接收机射频前端的单片低噪声放大器(LNA)。利用soi工艺特有的低噪声特性,降低了衬底耦合到电路的噪声。采用单独的带隙基准源和LDO为低噪声放大器供电,降低了电源纹波和高频噪声对放大器噪声性能的影响。测试结果表明,在3.3V电源电压、1.575GHz工作频率下,该LNA的噪声系数仅为1.49dB,增益为13.7dB,输入回波损耗S11、输出回波损耗S22均小于-15dB,输入P1dB为-13dBm,IIP3为-0.34dBm。; 来源：详细信息评论

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