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硅烷氨气比对pecvd氮化硅薄膜性能的影响: 收藏
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引用; 《中国建设动态（阳光能源）》2011年第6期 52-53,57页; 作者：屈盛毛和璜韩增华曹晓宁周春兰王文静张兴旺欧贝黎新能源科技股份有限公司中国科学院电工研究所中国科学院半导体研究所; 利用pecvd在硅片上沉积SiNx:H薄膜,研究硅烷氨气流量比对SiNx:H薄膜的组分、折射率和钝化效果的影响。X射线光电子能谱(XPS)和椭偏仪的测试结果表明,硅烷氨气流量比(SAR)在0.09～0.38以内沉积的所有薄膜都呈现出富硅的组分,而且随着SAR...; 利用pecvd在硅片上沉积SiNx:H薄膜,研究硅烷氨气流量比对SiNx:H薄膜的组分、折射率和钝化效果的影响。X射线光电子能谱(XPS)和椭偏仪的测试结果表明,硅烷氨气流量比(SAR)在0.09～0.38以内沉积的所有薄膜都呈现出富硅的组分,而且随着SAR的逐渐增加,Si的含量逐渐增加,折射率逐渐增大。微波光电导衰退(μ-PCD)的测试结果表明,Si含量适中(也即折射率适中)的薄膜,相比Si含量过低或过高的薄膜,呈现出更为稳定的钝化效果。; 来源：详细信息评论

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